型号：DMP2200UDW-13
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：DFN2020-6
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.8A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-15A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -1.7V
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -4.5V：22mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -2.5V：30mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -1.8V：40mΩ
　　输入电容（Ciss）：410pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：150pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间（trr）：16ns
　　栅极电荷（Qg）：6.5nC @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：1.5W

DMP2200UDW-13采用了先进的TrenchFET工艺技术，这种技术通过优化沟道结构和降低寄生效应显著提升了器件的电气性能。其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = -4.5V时仅为22mΩ，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率，特别是在大电流应用场景下表现尤为突出。此外，在较低的栅极驱动电压如-2.5V和-1.8V条件下仍能保持较低的RDS(on)，分别为30mΩ和40mΩ，这意味着它能够兼容现代低压逻辑控制器（如微处理器或专用电源管理IC）直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了设计并节省了成本。
　　该器件的封装形式为DFN2020-6，具有优异的热传导性能，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量有效传导至内层或地平面，实现良好的散热效果。这一特点使其即使在高功率密度环境下也能稳定运行。同时，小尺寸封装满足了智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品对小型化和轻薄化的需求。
　　DMP2200UDW-13还具备较高的开关速度，得益于较低的输入电容（Ciss=410pF）和栅极电荷（Qg=6.5nC），使得其在高频开关应用中表现出色，可用于同步整流或快速响应的负载开关电路。其反向恢复时间较短（trr=16ns），减少了体二极管反向恢复带来的能量损耗和电压尖峰，提高了系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　该MOSFET支持宽范围的工作温度（-55°C至+150°C），确保在极端环境条件下依然可靠运行。其栅源电压耐受能力达到±12V，提供了足够的安全裕度，防止因瞬态电压冲击导致器件损坏。此外，器件内部结构经过优化，具有较强的抗雪崩能力和稳健的长期可靠性，适用于多种严苛的应用环境。

DMP2200UDW-13广泛应用于需要高效、小型化P沟道MOSFET的各种电源管理系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能与电源管理。在电池供电系统中，它可作为高侧开关用于电池充放电控制或电源路径管理，凭借其低导通电阻和快速响应特性，有效降低功耗并提升续航能力。
　　该器件也常用于DC-DC降压变换器中的同步整流部分，尤其是在非隔离式Buck电路中作为上管使用，配合控制器实现高效的能量转换。由于其支持低电压驱动，非常适合与3.3V或1.8V逻辑信号直接接口，无需额外的驱动电路，简化了整体设计复杂度。
　　在热插拔电路和电源多路复用（Power MUX）应用中，DMP2200UDW-13能够平稳地控制电源切换过程，避免电流浪涌和电压跌落，保护后级电路安全。此外，它还可用于电机驱动、LED驱动、USB电源开关以及各类需要精确电源控制的嵌入式系统中。
　　得益于其高可靠性和小型封装，该器件也被广泛应用于工业控制系统、通信模块、IoT设备和消费类电子产品中，是现代高集成度电源解决方案的理想选择之一。

DMG2305UW-7 DMP2006UFG-7 DMP2008UFG-7