DMP2160UWQ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用超小型的 WQFN-6L 封装,专为需要高效率和小尺寸的应用而设计。DMP2160UWQ 的漏源电压(VDS)高达 30V,连续漏极电流(ID)为 5.8A(在 25°C 下),并且具有非常低的导通电阻(RDS(on))。这种特性使其非常适合于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的各种功率管理应用。
该器件的低导通电阻和优化的封装技术有助于减少功耗并提高整体系统效率。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压 (VDS):30 V
连续漏极电流 (ID):5.8 A (Tc = 25°C)
导通电阻 (RDS(on)):13 mΩ (典型值,VGS = 4.5V)
栅极电荷 (QG):7 nC (典型值)
输入电容 (Ciss):190 pF (典型值)
输出电容 (Coss):34 pF (典型值)
总功耗 (Ptot):1.3 W (Tamb = 25°C)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:WQFN-6L
DMP2160UWQ 提供了多种关键特性,使其成为高效功率转换的理想选择:
1. 极低的导通电阻(RDS(on))能够显著降低传导损耗,从而提升系统效率。
2. 小巧的 WQFN-6L 封装适合空间受限的设计,并且具有良好的散热性能。
3. 较高的连续漏极电流能力(5.8A)允许其用于较高功率密度的应用。
4. 快速开关速度得益于较小的栅极电荷(QG),可以减少开关损耗。
5. 工作温度范围宽广(-55°C 至 +150°C),适用于各种环境条件下的应用。
6. 符合 RoHS 标准,支持环保要求。
DMP2160UWQ 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
3. 电机驱动和控制,例如小型直流电机或步进电机。
4. 便携式电子产品中的功率管理功能,如智能手机、平板电脑和其他移动设备。
5. 照明系统中的 LED 驱动器和调光控制。
6. 各种工业和消费类电子产品的通用功率开关。
DMN2987UFQ, DMN2990UFQ