型号：DMP2160UW
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-60 V
　　连续漏极电流（ID）：-500 mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-1.4 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：-850 mΩ @ VGS = -10 V
　　导通电阻RDS(on)：-1100 mΩ @ VGS = -4.5 V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0 V ~ -2.5 V
　　输入电容（Ciss）：90 pF @ VDS = -10 V
　　反向恢复时间（trr）：未指定
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-70）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　导通状态电阻随温度变化系数：正温度系数

DMP2160UW采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备出色的电性能和热稳定性。其最大漏源电压为-60V，能够承受较高的反向电压应力，适用于多种中低压电源系统。在VGS = -10V时，典型导通电阻仅为850mΩ，而在更低的驱动电压如-4.5V下仍能保持1.1Ω以下的低阻值，这使其在电池供电设备中即使在电压下降的情况下也能维持较高效率。该器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了良好的开启控制能力，并避免因噪声引起的误触发。其输入电容仅为90pF，在高频开关应用中可降低驱动损耗，提升系统响应速度。
　　该MOSFET具有优良的开关特性，上升时间和下降时间短，适用于快速切换场景，如LED调光控制或负载开关。其封装形式为SOT-23（SC-70），体积小巧，仅占用极小的PCB面积，非常适合智能手机、可穿戴设备、便携式医疗仪器等对空间敏感的产品。同时，该封装具备良好的散热性能，结合内部芯片优化设计，可在150°C的最高结温下长期运行，保证了在高温环境下的可靠性。
　　DMP2160UW的P沟道结构使其特别适合用作高边开关，无需复杂的电荷泵电路即可实现电源通断控制，从而简化电源管理系统的设计复杂度并降低成本。此外，器件内部集成了体二极管，能够在感性负载关断时提供续流路径，保护电路免受反向电动势损害。该体二极管的反向恢复特性虽未明确标注，但在轻载条件下表现良好，适用于非高频硬开关的应用。
　　该器件通过了AEC-Q101认证的可能性较低（需查证具体批次），但其制造过程遵循严格的品质管理体系，批次一致性好，适合工业级和消费级产品的批量使用。静电防护方面，器件具备一定的ESD耐受能力，但仍建议在生产和装配过程中采取防静电措施以防止损伤。整体而言，DMP2160UW是一款性能均衡、成本效益高的P沟道MOSFET，广泛应用于现代低功耗电子系统中。

DMP2160UW常用于便携式电子设备中的电源管理单元，例如智能手机和平板电脑中的电池充电回路或电源路径切换。它也广泛应用于LED背光驱动电路中作为开关元件，控制显示屏亮度。在嵌入式系统中，可用于微控制器外设的电源使能控制，实现模块化供电以节省能耗。此外，该器件适用于各类低电流负载开关、电机驱动中的H桥低端控制、音频信号切换以及传感器供电控制等场景。由于其小型封装和高效性能，特别适合空间受限的物联网终端设备、智能手表、无线耳机等产品。工业领域中可用于PLC输入输出模块的信号隔离与切换，或作为继电器替代方案用于固态开关设计。

DMG2160UW-7 DMP2060UW DMP2140U