型号：DMP2130L
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：6.4A @ 70°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：25A
　　导通电阻(RDS(on))：21mΩ @ VGS = 10V；27mΩ @ VGS = 4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：560pF @ VDS = 15V
　　输出电容(Coss)：210pF @ VDS = 15V
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

DMP2130L采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，具备极低的导通电阻，这使其在大电流应用中表现出色，显著降低了导通损耗，提升了系统的整体能效。其RDS(on)典型值仅为21mΩ（在VGS=10V条件下），即使在较低的栅极驱动电压下（如4.5V），也能保持27mΩ的低阻状态，确保在低压控制逻辑下依然具备良好的开关性能。这一特性使得DMP2130L非常适合用于电池供电设备中的电源开关或负载切换，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对功耗敏感的产品。
　　该器件的SOT-23封装不仅节省空间，还提供了良好的热传导能力，能够在有限的空间内实现高效的热量散发。尽管封装较小，但DMP2130L仍能承受高达6.4A的连续漏极电流（在TC=70°C时），并在短时间内支持高达25A的脉冲电流，展现出强大的电流处理能力。此外，其快速的开关速度得益于较低的输入和输出电容（Ciss=560pF，Coss=210pF），减少了开关过程中的能量损耗，提高了高频应用下的响应能力。
　　DMP2130L的栅极阈值电压范围为1.0V至2.0V，属于低阈值类型，能够与3.3V甚至更低电压的逻辑电路直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并降低了系统成本。同时，±20V的栅源电压额定值提供了较强的抗静电和过压能力，增强了器件在实际应用中的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=18ns），有助于减少在感性负载切换时产生的反向电流尖峰，提高系统稳定性。
　　该MOSFET符合工业级温度范围要求（-55°C至+150°C），可在严苛环境下稳定工作，适用于汽车电子、工业控制等多种应用场景。其无铅、无卤素的设计也满足现代电子产品对环保法规的要求，便于在全球范围内推广应用。

DMP2130L因其高电流密度、低导通电阻和小型封装，被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品的电源管理，如手机、蓝牙耳机、智能手表等设备中的电池开关和负载切换电路。它也常用于DC-DC转换器中的同步整流器或主开关元件，以提高转换效率并减少发热。此外，在电机驱动电路中，DMP2130L可用于小型直流电机或步进电机的驱动控制，提供快速响应和低功耗表现。其高速开关特性使其适用于各类信号切换应用，例如音频/视频信号路由或多路复用器控制。在LED驱动电路中，该器件可用作恒流源的开关元件，实现精确的亮度调节。其他应用场景还包括热插拔控制器、USB电源开关、传感器电源门控以及各类嵌入式控制系统中的功率开关角色。凭借其可靠性和紧凑设计，DMP2130L已成为许多高密度PCB布局中的首选N沟道MOSFET之一。

DMG2307LSSS-13
　　FDD3600P