时间：2025/12/26 8:30:03
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DMP2104LP-7是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用小型化封装SOT-23（也称为SOT-23-3），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件设计用于低电压、低功耗的应用场景，具备良好的导通性能和开关特性，能够有效支持电池供电系统中的电源管理与负载开关功能。DMP2104LP-7在制造工艺上采用了先进的沟槽技术，以实现较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的电流处理能力，同时保持对静电放电（ESD）的良好防护能力。该MOSFET广泛应用于消费类电子产品、移动设备、可穿戴设备以及各种需要高效能功率开关的小型化电路中。其引脚兼容标准三极管封装形式，便于在现有PCB布局中进行替换或升级。此外，该器件符合RoHS环保要求，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环境友好型元器件的需求。
类型：P沟道
极性：增强型
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：-12V
连续漏极电流（ID）：-2.3A
脉冲漏极电流（IDM）：-5.8A
导通电阻RDS(on)：47mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻RDS(on)：60mΩ @ VGS = -2.5V
阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.4V
输入电容（Ciss）：390pF @ VDS = 10V
反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS = 10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：SOT-23
DMP2104LP-7的核心优势在于其低导通电阻与高电流密度的结合，使其能够在小尺寸封装下提供出色的功率效率。其RDS(on)在-4.5V的栅极驱动电压下仅为47mΩ，在-2.5V时为60mΩ，这一性能对于电池供电系统至关重要，因为它可以显著降低导通损耗，延长设备运行时间。该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力。同时，其低阈值电压范围（-0.8V至-1.4V）使得它可以在较低的控制信号电压下可靠开启，适合与3.3V或更低逻辑电平的微控制器直接接口，无需额外的电平转换电路。
该器件具有良好的热稳定性与可靠性，在+150°C的最大结温下仍能稳定工作，适用于紧凑型高密度组装环境。SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备较好的散热性能，通过PCB焊盘可实现有效的热传导。此外，器件内部集成了体二极管，可用于感性负载关断时的能量泄放路径，增强了系统的鲁棒性。DMP2104LP-7还具备较强的抗瞬态干扰能力，栅极氧化层设计可承受±2000V HBM级别的静电放电，提升了生产过程中的良品率和现场使用的可靠性。整体而言，这款MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是许多便携式电源开关、逆变器、DC-DC转换器及负载保护电路的理想选择。
DMP2104LP-7常用于各类低电压直流电源管理系统中，典型应用场景包括便携式电子设备的电池供电切换、USB电源开关、负载开关控制、LDO后级隔离、电机驱动电路中的低端开关以及手持设备中的背光或模块供电控制。由于其P沟道特性，特别适合用于高边开关配置，在不需要复杂驱动电路的情况下实现电源通断控制。例如，在智能手机或平板电脑中，可用于控制不同功能模块（如摄像头、Wi-Fi模组）的独立上电与断电，以实现精细化电源管理，降低待机功耗。此外，该器件也适用于小型DC-DC转换器中的同步整流或续流路径，在提高转换效率的同时减少发热。在工业传感器、IoT终端节点和可穿戴设备中，DMP2104LP-7凭借其小封装和低静态功耗特性，成为实现节能设计的关键元件。其快速开关能力和低漏电流特性也有助于提升系统响应速度并减少能量浪费，满足现代智能设备对高能效和长续航的严苛要求。
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"DMG2302UK-7",
"FDMC8204",
"Si2302DDS",
"RTQ2010-GE3"
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