时间：2025/6/4 15:24:26
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DMP2067LVT是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用超小型DFN1010-4封装形式。该器件专为低电压应用设计，具有极低的导通电阻和快速开关性能，非常适合用于便携式设备、消费类电子产品及工业控制中的负载开关、同步整流和电源管理电路等场景。
这款MOSFET由Diodes公司生产，以其高效率和小尺寸特性著称，能够有效减少系统功耗并节省PCB空间。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：4.1A
导通电阻(Rds(on))：10mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷(Qg)：3nC（典型值）
总电容(Ciss)：250pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 小巧的DFN1010-4封装形式，适合对空间要求严格的紧凑型设计。
3. 快速开关能力，支持高频应用。
4. 较宽的工作温度范围，适应多种环境条件下的使用需求。
5. 高可靠性设计，确保长期稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. USB充电端口保护和切换。
3. 同步整流电路中作为功率开关元件。
4. 电池管理系统中的电源通断控制。
5. 消费类电子产品的电源管理和信号切换。
6. 工业控制领域的小信号处理与驱动电路。
DMN2029UFQ, BSC016N04LSG, AO4604
