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DMP2066UFDE-7 发布时间 时间:2025/8/2 6:53:11 查看 阅读:41

DMP2066UFDE-7 是一款由 Diodes 公司生产的双 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小型无铅封装(DFN2066),适用于需要高效率和小尺寸设计的电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高电流能力和快速开关特性,广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制和电池供电设备中。

参数

类型:N 沟道 MOSFET(双通道)
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):4.3A(每通道)
  导通电阻(RDS(on)):16mΩ(典型值,@VGS=4.5V)
  功率耗散(PD):1.6W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:DFN2066(无铅,符合 RoHS 标准)

特性

DMP2066UFDE-7 具有以下主要特性:
  1. **低导通电阻(RDS(on))**:在 VGS=4.5V 时,RDS(on) 仅为 16mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  2. **双通道集成设计**:在一个封装中集成两个独立的 N 沟道 MOSFET,节省 PCB 空间,简化电路布局。
  3. **小型封装(DFN2066)**:采用 2mm x 2mm 的 DFN 封装,适用于高密度和小型化设计的便携式电子设备。
  4. **高电流能力**:每个通道可承受连续漏极电流高达 4.3A,适用于中等功率的电源开关和控制应用。
  5. **快速开关特性**:具有较低的输入电容(Ciss)和开关时间,适合高频开关操作,降低开关损耗。
  6. **热稳定性强**:优化的热阻设计,确保在高负载条件下仍能保持良好的散热性能。
  7. **绿色环保封装**:符合 RoHS 和无卤素标准,适用于环保要求高的产品设计。

应用

DMP2066UFDE-7 MOSFET 器件适用于多种电子系统,特别是在需要高效能与小尺寸设计的场景中,主要包括:
  1. **DC-DC 转换器**:用于同步整流或开关控制,提升电源转换效率。
  2. **负载开关**:用于控制多个电源域的开关,如在移动设备或多路电源系统中管理不同模块的供电。
  3. **马达驱动电路**:用于低电压马达控制应用,如风扇、泵或小型机器人系统。
  4. **电池管理系统(BMS)**:用于电池充放电路径的开关控制,提高系统安全性与能效。
  5. **便携式电子产品**:如智能手机、平板电脑、穿戴设备等,用于电源管理及负载切换。
  6. **服务器与通信设备**:用于高密度电源模块和热插拔控制电路中。

替代型号

Si3442DV-T1-E3, AO3400A, BSS138K, DMP2035UFG-7

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DMP2066UFDE-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C36 毫欧 @ 4.6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1537pF @ 10V
  • 功率 - 最大660mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装6-DFN2020(2x2)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMP2066UFDE-7DITR