DMP2066UFDE-7 是一款由 Diodes 公司生产的双 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小型无铅封装(DFN2066),适用于需要高效率和小尺寸设计的电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高电流能力和快速开关特性,广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制和电池供电设备中。
类型:N 沟道 MOSFET(双通道)
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):4.3A(每通道)
导通电阻(RDS(on)):16mΩ(典型值,@VGS=4.5V)
功率耗散(PD):1.6W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:DFN2066(无铅,符合 RoHS 标准)
DMP2066UFDE-7 具有以下主要特性:
1. **低导通电阻(RDS(on))**:在 VGS=4.5V 时,RDS(on) 仅为 16mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
2. **双通道集成设计**:在一个封装中集成两个独立的 N 沟道 MOSFET,节省 PCB 空间,简化电路布局。
3. **小型封装(DFN2066)**:采用 2mm x 2mm 的 DFN 封装,适用于高密度和小型化设计的便携式电子设备。
4. **高电流能力**:每个通道可承受连续漏极电流高达 4.3A,适用于中等功率的电源开关和控制应用。
5. **快速开关特性**:具有较低的输入电容(Ciss)和开关时间,适合高频开关操作,降低开关损耗。
6. **热稳定性强**:优化的热阻设计,确保在高负载条件下仍能保持良好的散热性能。
7. **绿色环保封装**:符合 RoHS 和无卤素标准,适用于环保要求高的产品设计。
DMP2066UFDE-7 MOSFET 器件适用于多种电子系统,特别是在需要高效能与小尺寸设计的场景中,主要包括:
1. **DC-DC 转换器**:用于同步整流或开关控制,提升电源转换效率。
2. **负载开关**:用于控制多个电源域的开关,如在移动设备或多路电源系统中管理不同模块的供电。
3. **马达驱动电路**:用于低电压马达控制应用,如风扇、泵或小型机器人系统。
4. **电池管理系统(BMS)**:用于电池充放电路径的开关控制,提高系统安全性与能效。
5. **便携式电子产品**:如智能手机、平板电脑、穿戴设备等,用于电源管理及负载切换。
6. **服务器与通信设备**:用于高密度电源模块和热插拔控制电路中。
Si3442DV-T1-E3, AO3400A, BSS138K, DMP2035UFG-7