时间：2025/5/16 14:19:39
阅读：5
DMP2066LSN是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用小尺寸的DFN3x3-8封装形式。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗并提升效率，非常适合用于开关电源、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的各种功率管理应用。
其优异的电气性能和热特性使得DMP2066LSN在高密度电路设计中表现出色，同时支持更高效的功率转换。
最大>最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻（Rds(on)）：17mΩ
总栅极电荷：15nC
输入电容：620pF
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于提高整体系统效率。
2. 小型DFN3x3-8封装，节省PCB空间且具备良好的散热性能。
3. 高速开关能力，适合高频开关应用。
4. 工作温度范围宽，适应各种环境条件。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 具备较强的雪崩能力和耐用性，增强了可靠性。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 负载开关，适用于笔记本电脑、平板电脑及智能手机等便携式设备。
3. 电池保护电路。
4. 电机驱动与控制。
5. DC/DC转换器中的功率级开关元件。
6. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
DMN2028LSD, BSC017N06NSG, FDN368P
