时间：2025/12/26 10:00:10
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DMP2038USS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度，适用于多种电源管理和功率开关应用。DMP2038USS-13封装在小型SOT-23（SC-70）封装中，适合空间受限的便携式电子设备设计。其主要特点包括低栅极电荷、良好的热稳定性以及符合RoHS标准的无铅环保封装。这款MOSFET常用于负载开关、电池供电设备中的电源控制、电机驱动电路以及各类DC-DC转换器中。由于其优异的电气性能和紧凑的封装尺寸，DMP2038USS-13广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他消费类电子产品中。器件的工作结温范围为-55°C至+150°C，确保在严苛环境下仍能稳定运行。此外，它具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护能力，提升了系统可靠性。
型号：DMP2038USS-13
制造商：Diodes Incorporated
器件类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-30V
最大连续漏极电流（ID）：-2.3A
最大脉冲漏极电流（IDM）：-6.9A
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻RDS(on) @ VGS = -10V：45mΩ
导通电阻RDS(on) @ VGS = -4.5V：52mΩ
导通电阻RDS(on) @ VGS = -2.5V：70mΩ
阈值电压VGS(th) 典型值：-1.1V
输入电容Ciss：420pF
输出电容Coss：140pF
反向传输电容Crss：30pF
总栅极电荷Qg @ VDS = -15V, ID = -2.3A：5.8nC
开启延迟时间td(on)：8ns
关断延迟时间td(off)：16ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23 (SC-70)
DMP2038USS-13采用先进的TrenchFET工艺技术，这种结构能够显著降低导通电阻并提高单位面积下的电流承载能力。该器件的关键优势之一是其极低的RDS(on)，在VGS = -10V时仅为45mΩ，这有助于减少导通损耗，提升整体系统效率，尤其适用于对功耗敏感的应用场景。
该MOSFET具备快速开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg = 5.8nC）和小信号电容值（Ciss = 420pF），使其能够在高频开关电路中表现出色，如同步整流或DC-DC降压变换器。同时，其低阈值电压（典型-1.1V）允许使用较低的控制电压实现完全导通，兼容3.3V或更低逻辑电平的驱动信号，增强了与现代微控制器和电源管理IC的接口兼容性。
SOT-23封装不仅体积小巧（仅2.1mm × 1.25mm × 1.1mm），还具备良好的散热性能，在有限空间内实现高效功率处理。器件符合工业级温度规范，可在-55°C至+150°C的结温范围内可靠工作，适用于各种环境条件下的应用。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）等，确保长期使用的稳定性。
DMP2038USS-13还具备出色的抗瞬态能力，能承受一定程度的过压和过流冲击，配合内置的体二极管（额定连续正向电流IF = 2.3A，反向恢复时间trr ≈ 20ns），可用于反向电压保护或续流路径。整体而言，该器件在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率P沟道MOSFET应用的理想选择。
DMP2038USS-13广泛应用于需要高效、小型化功率开关解决方案的场合。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关和负载切换，例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或系统复位功能。其低导通电阻和快速响应特性也使其适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制路径，有效降低能量损耗并延长续航时间。
在DC-DC转换器拓扑中，该器件可作为高端或低端开关管使用，特别是在非隔离式 buck 转换器中担任主开关或同步整流器角色，帮助提升转换效率。此外，它还可用于电机驱动电路中，控制微型直流电机或步进电机的启停与方向切换，适用于玩具、家用电器和智能门锁等产品。
其他典型应用还包括LED背光驱动、热插拔控制器、USB端口电源管理以及传感器模块的电源隔离。由于其支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器GPIO引脚控制，简化了外围电路设计，减少了额外驱动元件的需求。在工业自动化和物联网（IoT）设备中，DMP2038USS-13也被用于远程节点的远程上电控制和故障隔离机制。总之，凡是需要低功耗、高集成度和高可靠性的P沟道开关应用，DMP2038USS-13都是一个极具竞争力的选择。
DMG2308LSS-13
AO3415
FDS6680A
ZXMP600N03F
