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DMP2036UVT 发布时间 时间:2025/5/24 16:58:41 查看 阅读:16

DMP2036UVT是一款由Diodes Incorporated公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用超小型DFN1006-2封装,具有极低的导通电阻和快速开关特性,适用于空间受限且需要高效能转换的应用场景。它主要应用于负载开关、便携式设备电源管理以及DC-DC转换器等领域。
  该MOSFET的设计注重在低压环境下的性能优化,能够在较低电压下提供高效率的电流传输,同时保持较小的芯片尺寸以适应现代电子产品的紧凑设计需求。

参数

最大漏源电压:15V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻:10mΩ
  栅极电荷:4nC
  总功耗:180mW
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

DMP2036UVT的主要特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),仅为10毫欧,在较低的驱动电压下仍能保持高效的导电能力。此外,其小型化的DFN1006-2封装不仅节省了PCB空间,还改善了热性能。
  该器件具备优秀的开关速度,这得益于其低栅极电荷设计,从而减少了开关损耗并提高了整体效率。
  此外,DMP2036UVT的工作温度范围广泛,能够在极端环境下稳定运行,非常适合对可靠性要求较高的应用场合。

应用

DMP2036UVT广泛应用于消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备的电源管理系统。
  它也常用于负载开关、电池保护电路、DC-DC转换器以及LED驱动电路等场景。由于其出色的效能和小型化设计,特别适合于那些需要高功率密度和高效率转换的解决方案。
  另外,该器件还可以用作同步整流器中的开关元件,进一步提高系统的整体效率。

替代型号

DMN2036UFH
  DMP2076UVT
  FDS6680

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