时间：2025/5/24 16:58:41
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DMP2036UVT是一款由Diodes Incorporated公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用超小型DFN1006-2封装，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于空间受限且需要高效能转换的应用场景。它主要应用于负载开关、便携式设备电源管理以及DC-DC转换器等领域。
该MOSFET的设计注重在低压环境下的性能优化，能够在较低电压下提供高效率的电流传输，同时保持较小的芯片尺寸以适应现代电子产品的紧凑设计需求。
最大漏源电压：15V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：10mΩ
栅极电荷：4nC
总功耗：180mW
工作结温范围：-55℃至150℃
DMP2036UVT的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），仅为10毫欧，在较低的驱动电压下仍能保持高效的导电能力。此外，其小型化的DFN1006-2封装不仅节省了PCB空间，还改善了热性能。
该器件具备优秀的开关速度，这得益于其低栅极电荷设计，从而减少了开关损耗并提高了整体效率。
此外，DMP2036UVT的工作温度范围广泛，能够在极端环境下稳定运行，非常适合对可靠性要求较高的应用场合。
DMP2036UVT广泛应用于消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备的电源管理系统。
它也常用于负载开关、电池保护电路、DC-DC转换器以及LED驱动电路等场景。由于其出色的效能和小型化设计，特别适合于那些需要高功率密度和高效率转换的解决方案。
另外，该器件还可以用作同步整流器中的开关元件，进一步提高系统的整体效率。
DMN2036UFH
DMP2076UVT
FDS6680
