时间：2025/5/21 23:58:24
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DMP2035UVTQ-7 是一款 N 沃特 (Nexperia) 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用微型 DFN1010-7 封装，具有低导通电阻和出色的开关性能，适合用于负载开关、电源管理以及电池保护等应用。其小尺寸封装使得它非常适合空间受限的设计，同时保持了高性能和高可靠性。
该器件的工作电压范围较宽，最大漏源极耐压为 30V，且支持高电流处理能力，非常适合消费电子、通信设备及工业控制领域的多种应用场景。
最大漏源极电压(Vds)：30V
最大栅源极电压(Vgs)：±8V
最大连续漏极电流(Id)：4.2A
导通电阻(Rds(on))：6.5mΩ（在 Vgs=-4.5V 时）
栅极电荷(Qg)：4.5nC
总功耗(Ptot)：670mW
工作温度范围(Tamb)：-55°C 至 +150°C
封装形式：DFN1010-7
DMP2035UVTQ-7 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），确保高效的功率传输并减少功率损耗。
2. 高开关速度，得益于其较低的栅极电荷，适用于高频开关应用。
3. 微型 DFN1010-7 封装，尺寸仅为 1.0mm x 1.0mm，高度仅 0.55mm，非常适合紧凑型设计。
4. 较宽的工作电压范围（高达 30V），可满足多种电路需求。
5. 出色的热稳定性，能够承受较高的环境温度（最高达 150°C）。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合全球市场要求。
DMP2035UVTQ-7 主要应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 便携式电子设备的电源管理模块。
3. USB 端口保护和快速充电解决方案。
4. 电池管理系统中的电池放电控制。
5. LED 驱动器中的电流调节。
6. 工业自动化设备中的小型化电源开关方案。
7. 通信系统中的信号路径切换与保护。
DMP2036UVTQ-7, DMN2035UFQ-7, DMN2036UFQ-7
