DMP2035UTS 时间：2025/5/15 14:39:09 阅读：10

DMP2035UTS 是一款 N 沱金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS），采用 UTS 封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力，适用于多种功率转换和开关应用。它广泛用于电源管理、电机驱动、负载开关和其他需要高效能功率开关的场合。
　　该 NMOS 场效应晶体管在设计时考虑了对功耗和效率的要求，特别适合于便携式设备和消费类电子产品的应用环境。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：12.7A
　　导通电阻：3.9mΩ
　　栅极电荷：8nC
　　总电容：1350pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃

特性

DMP2035UTS 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流条件下减少功率损耗。
　　2. 高速开关性能，适合高频应用。
　　3. 小型封装尺寸，节省印刷电路板空间。
　　4. 提供卓越的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能。
　　5. 低栅极电荷设计，简化驱动电路并提高效率。
　　6. 可靠性高，适用于恶劣的工作条件。

应用

这款 MOSFET 器件非常适合以下应用场景：
　　1. 开关电源中的同步整流器。
　　2. DC/DC 转换器中的功率开关。
　　3. 电池管理系统中的负载开关。
　　4. 消费类电子产品中的电机驱动控制。
　　5. 工业自动化设备中的信号切换与功率传输。
　　6. 通信设备中的电源管理和保护电路。