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DMP2033UVT-7 发布时间 时间:2025/12/24 16:17:48 查看 阅读:13

DMP2033UVT-7是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Diodes公司生产。该器件采用超小型DFN2020-8封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能功率转换和负载开关应用。其工作电压范围广,能够在高达30V的环境下稳定运行,同时支持高电流输出。DMP2033UVT-7在便携式设备、消费类电子及工业控制领域有广泛应用。

参数

型号:DMP2033UVT-7
  封装形式:DFN2020-8
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±8V
  连续漏极电流(ID):3.1A
  导通电阻(RDS(on)):45mΩ(典型值,VGS=4.5V)
  栅极电荷(Qg):6nC(典型值)
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

DMP2033UVT-7具备多种卓越特性使其成为高效能电路设计的理想选择:
  1. 极低的导通电阻确保了较低的传导损耗,从而提高系统效率并减少散热需求。
  2. 快速开关性能可降低开关损耗,非常适合高频开关应用如DC-DC转换器和同步整流器。
  3. 超小型DFN2020-8封装有助于节省PCB空间,适合尺寸受限的应用场合。
  4. 高温适应性使其可以在恶劣环境条件下稳定工作,延长产品寿命。
  5. 内部结构经过优化以提供更佳的电气性能和可靠性。

应用

DMP2033UVT-7广泛应用于多个领域:
  1. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路,例如智能手机和平板电脑。
  2. 电源管理模块,包括降压/升压转换器和电池充电管理。
  3. 工业自动化与控制中的信号调节和驱动电路。
  4. 通信设备中的电源切换和保护功能。
  5. LED照明系统的恒流控制和调光功能实现。

替代型号

以下为一些可能的替代型号,具体需根据实际应用场景确认:
  1. AO3400:导通电阻类似,但封装为SOT-23。
  2. FDMQ8203:具有类似的电气参数,但封装为PowerTrench?3。
  3. BSS138:适用于更低功率应用,但导通电阻稍高。
  4. PMV30EN:相似的电气性能,但封装为SOT-563。

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DMP2033UVT-7参数

  • 现有数量0现货15,000Factory查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.18904卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)65 毫欧 @ 4.2A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)845 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.2W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TSOT-26
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6