DMP2023UFDF 时间：2025/5/26 11:44:07 阅读：10

DMP2023UFDF是一款N沟道增强型MOSFET，采用小型化的DFN5060封装形式。该器件专为低功耗和高效能应用设计，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少功率损耗并提高系统效率。
　　此款MOSFET适用于广泛的消费电子、通信设备以及工业控制领域，特别是在需要高频开关和低导通损耗的应用场景中表现出色。

参数

型号：DMP2023UFDF
　　封装：DFN5x6
　　Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.2V~2.4V
　　Rds(on)（最大导通电阻，Vgs=4.5V时）：9mΩ
　　Rds(on)（最大导通电阻，Vgs=10V时）：7mΩ
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±8V
　　最大漏电流（Id）：40A
　　总功耗（Ptot）：2.6W
　　工作温度范围（Tj）：-55℃~175℃

特性

DMP2023UFDF具备卓越的电气性能和可靠性，其主要特性如下：
　　1. 超低导通电阻，可有效降低功率损耗。
　　2. 高击穿电压（30V），确保在多种电路环境下稳定运行。
　　3. 采用DFN5060无引脚封装，有助于提升散热性能并节省PCB空间。
　　4. 极高的电流承载能力（最大40A），支持大功率应用。
　　5. 宽广的工作温度范围（-55℃至175℃），适应各种严苛环境条件。
　　6. 符合RoHS标准，绿色环保且易于焊接和自动化生产。

应用

DMP2023UFDF因其优异的性能被广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关。
　　3. 电池管理系统的充放电控制。
　　4. 消费类电子产品的负载开关。
　　5. 电机驱动和逆变器模块中的功率级元件。
　　6. 各种保护电路，如过流保护和短路保护等。