时间：2025/8/2 7:10:42
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DMP2021UFDF-7是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET，采用DFN1006封装，适用于低电压和低电流应用。该器件设计用于提供高效的功率管理解决方案，广泛用于便携式设备、电池供电系统以及需要低功耗和小尺寸封装的电路中。
类型：P沟道
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
漏极电流（Id）：-200mA（连续）
导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω @ Vgs = -4.5V；2.2Ω @ Vgs = -2.5V
功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN1006
DMP2021UFDF-7具有低导通电阻的特点，能够在较低的电压下实现较高的电流承载能力，从而减少功率损耗并提高系统效率。其DFN1006封装形式具有较小的体积和良好的热性能，适用于高密度PCB布局。
此外，该MOSFET具有较高的栅极绝缘强度，能够在较宽的温度范围内稳定工作，增强了器件的可靠性和耐用性。其低功耗设计和快速开关特性使其非常适合用于便携式电子产品和节能型电源管理系统。
在应用中，DMP2021UFDF-7可以用于负载开关、电源管理、电池保护电路、DC-DC转换器以及各种低功耗控制电路。
DMP2021UFDF-7适用于多种低功耗和便携式电子设备，包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式医疗设备、电池管理系统、电源管理模块以及各种低电压DC-DC转换器。该器件也可用于负载开关和热插拔保护电路，以实现对电源的高效控制。
DMG2021UX-7, AO3401, Si2301DS, FDN302P
