时间：2025/8/7 2:22:19
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DMP2006UFG-7-36 是一款由 Diodes 公司生产的双路 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率的功率管理应用。该器件采用先进的工艺技术，提供较低的导通电阻和快速的开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及其它需要高效率功率控制的场景。DMP2006UFG-7-36 采用 U-DFN2020-6 封装，具有良好的热性能和空间利用率，适用于便携式电子设备和高性能计算设备。
类型：MOSFET（双N沟道）
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：4.9A（@25°C）
导通电阻（Rds(on)）：16mΩ（@Vgs=4.5V）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：U-DFN2020-6
DMP2006UFG-7-36 是一款高性能的双 N 沟道 MOSFET，其主要优势在于其低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力。在 4.5V 的栅极驱动电压下，导通电阻仅为 16mΩ，使得该器件在大电流应用中具有较低的功耗和发热。该器件的最大漏极电流为 4.9A，在 25°C 环境温度下可提供良好的导通性能。此外，其 20V 的漏源电压额定值允许其用于多种中低电压功率转换应用，如同步整流、电池管理系统、负载开关等。
DMP2006UFG-7-36 采用 U-DFN2020-6 封装，具有较小的封装尺寸和优良的热管理能力，适用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其 -55°C 至 150°C 的宽工作温度范围也使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，提高了系统的可靠性和稳定性。
此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±8V，标准工作电压为 4.5V，确保其在多种控制电路中能够兼容使用，同时实现快速的开关响应时间，降低开关损耗。这些特性使得 DMP2006UFG-7-36 在电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用中表现出色。
DMP2006UFG-7-36 广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其适用于需要高效率功率管理的场景。其主要应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、同步整流器、电机驱动器、便携式电子设备电源管理等。该器件的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于同步降压转换器中的高边和低边开关，从而提高转换效率并降低发热。在电池管理系统中，DMP2006UFG-7-36 可用于控制充放电路径，确保电池的安全和稳定运行。此外，其紧凑的 U-DFN2020-6 封装也使其成为智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备等空间受限应用中的理想选择。
Si3442DV, DMP2035UFG-7, TPS659001, DMP2145UFG-7
