类型：N沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOT-23
　　漏源电压（Vds）：20V
　　连续漏极电流（Id）：5.3A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：16mΩ @ Vgs=4.5V；20mΩ @ Vgs=2.5V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.0V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　功率耗散（Pd）：760mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：330pF @ Vds=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：19ns

DMP2004K-7的N沟道MOSFET结构使其在低电压应用中表现出优异的导通性能和开关效率。其最大漏源电压为20V，能够满足大多数低压系统的使用需求，尤其是在3.3V或5V供电环境中表现良好。该器件的低导通电阻是其核心优势之一，在Vgs=4.5V时Rds(on)仅为16mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率。即使在更低的驱动电压下（如Vgs=2.5V），其Rds(on)也仅增加至20mΩ，仍保持良好的导通能力，这使得它非常适合用于由3.3V或甚至1.8V逻辑信号直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为0.6V至1.0V，属于超低阈值类型，确保在微弱驱动信号下也能快速开启，提升了对低电压控制信号的响应能力。这一特性特别适用于现代低功耗微控制器输出引脚直接驱动的情况，避免了电平转换或外加驱动电路的需求，有助于缩小PCB面积并减少元件数量。同时，器件具备较快的开关速度，开启延迟时间为4ns，关断延迟时间为19ns，配合较小的输入电容（330pF），可在高频开关应用中实现高效能运作，例如同步整流、开关稳压器和PWM调光电路。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于在高密度印刷电路板上布局，而且具备良好的散热性能，结合760mW的功率耗散能力，可在有限空间内实现可靠的电力传输。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其在极端环境条件下仍能维持稳定运行，适用于工业级与消费级双重应用场景。此外，DMP2004K-7通过了AEC-Q101可靠性认证的可能性较高（需查证具体批次），进一步增强了其在汽车电子和严苛环境中的适用性。综合来看，该器件凭借小尺寸、低功耗、高效率和强兼容性的特点，成为众多中小型功率开关应用的理想选择。

DMP2004K-7广泛应用于需要高效、紧凑型开关解决方案的电子系统中。典型用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载管理，例如智能手机和平板电脑中的背光LED驱动、摄像头模块供电控制以及外设电源启停管理。在这些应用中，该MOSFET作为低端开关使用，通过微控制器的GPIO引脚直接控制，实现对不同功能模块的按需供电，从而有效延长电池续航时间。
　　此外，它常用于直流-直流（DC-DC）转换电路中，特别是在降压（Buck）变换器的同步整流部分，利用其低导通电阻减少能量损耗，提升整体转换效率。在电池供电设备中，如蓝牙耳机、智能手表和物联网传感器节点，DMP2004K-7可用于电池充放电路径的通断控制或反向电流阻断，防止电池倒灌损坏充电管理芯片。
　　该器件也适用于各类信号切换电路，例如音频通道选择、USB数据线切换或多路模拟信号路由，因其低导通电阻可减小信号衰减，保证信号完整性。在工业控制领域，可用于PLC输入输出模块的小功率驱动电路或继电器驱动缓冲级。由于其符合RoHS标准且不含铅，适合出口型产品和绿色环保设计要求。总而言之，凡是在20V以下电压环境下需要快速、低损耗开关功能的场合，DMP2004K-7均是一个可靠而经济的选择。

DMG2004KSS-7
　　AOV2004E
　　FDD2004A