时间：2025/12/26 12:23:17
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DMP2003UPS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、低导通电阻和小尺寸封装的应用而设计，适用于多种电源管理场景。其SOT-23（也称作SC-70）小型表面贴装封装使其非常适合空间受限的便携式电子设备。DMP2003UPS-13在开关电源、负载开关、电池管理以及信号切换等应用中表现出色。由于其P沟道特性，该MOSFET在栅极施加低于源极的电压时导通，通常用于高端开关配置中，能够简化驱动电路的设计。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级和消费类电子产品的使用需求。
型号：DMP2003UPS-13
制造商：Diodes Incorporated
器件类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大连续漏极电流（ID）：-2.3A
最大脉冲漏极电流（IDM）：-6.9A
最大栅源电压（VGS）：±12V
阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻（RDS(on)）：60mΩ @ VGS = -2.5V
导通电阻（RDS(on)）：85mΩ @ VGS = -1.8V
输入电容（Ciss）：220pF @ VDS = 10V
开关时间（开启）：7ns
开关时间（关闭）：15ns
功耗（PD）：300mW
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23 (SC-70)
DMP2003UPS-13采用先进的TrenchFET工艺制造，这种结构通过优化沟道布局显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。该器件在低栅极驱动电压下仍能保持优异的导通性能，例如在VGS = -1.8V时，其RDS(on)仅为85mΩ，这使得它非常适合应用于采用单节锂电池供电（如3.7V系统）或低电压逻辑控制的场合。得益于其低阈值电压和高跨导特性，该MOSFET能够在微控制器直接驱动的情况下实现快速可靠的开关动作，无需额外的电平转换或驱动电路，有助于简化电源设计并降低成本。
DMP2003UPS-13的小型SOT-23封装不仅节省了PCB空间，还具备良好的热性能，在适当的布局下可有效散热。该器件具有出色的雪崩耐受能力和抗静电能力（ESD），增强了在恶劣工作环境下的鲁棒性。其快速的开关响应时间（开启约7ns，关闭约15ns）确保了高频开关操作中的高效性能，适用于DC-DC转换器、同步整流和高速负载开关等应用。此外，该MOSFET在整个工作温度范围内（-55°C至+150°C）参数变化较小，表现出稳定的电气特性，适合宽温环境下的工业与汽车电子应用。内部寄生二极管的存在也使其可用于反向电压保护或续流路径构建，进一步扩展了其应用场景。
DMP2003UPS-13广泛应用于需要高效、紧凑型电源开关解决方案的电子产品中。常见用途包括便携式设备中的电池供电切换、USB电源开关、LDO旁路控制、电机驱动中的高端开关以及各类DC-DC降压变换器中的同步整流部分。由于其支持低电压逻辑直接驱动，因此特别适用于由3.3V或更低电压微控制器控制的嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等。此外，该器件也可用于热插拔电路、LED背光调光控制、音频信号路由选择开关以及各类模拟开关模块中。在工业自动化领域，它可用于传感器模块的电源管理或远程I/O单元中的通道切换。其高可靠性和小尺寸特性也使其成为医疗电子、智能家居控制板和无线通信模块中的理想选择。
DMG2003UFG-7
DMG2003UW-7
FDD9404P
