时间：2025/7/8 21:15:20
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DMP10H400SK3是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用SOT26封装形式，适用于低功耗和空间受限的应用场景。其设计旨在提供低导通电阻和高效率，同时支持高达400V的漏源极电压，使其适合于多种开关电源、电机驱动和负载切换等应用。
这款MOSFET以其出色的电气特性和紧凑的封装形式，为工程师提供了在有限空间内实现高性能电路设计的可能性。
漏源极电压：400V
连续漏电流：0.15A
导通电阻：750Ω
栅极电荷：1.8nC
总功耗：0.29W
工作结温范围：-55℃至150℃
DMP10H400SK3具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定漏源极电压为400V，适用于高压环境下的应用。
2. 小型化封装：采用SOT26封装，节省PCB空间。
3. 低导通电阻：在特定条件下表现出较低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
4. 快速开关性能：较小的栅极电荷确保了高效的开关操作。
5. 广泛的工作温度范围：能够适应从-55℃到150℃的极端温度条件，保证了器件在恶劣环境中的可靠性。
6. 可靠性高：通过严格的制造工艺控制，保证了长期使用中的稳定性。
DMP10H400SK3广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如适配器、充电器等。
2. 消费类电子设备：包括家用电器、便携式电子产品。
3. 工业控制：用于电机驱动、负载切换等。
4. 照明系统：如LED驱动电路。
5. 电池保护：用于锂电池保护板等场合。
6. 数据通信：在网络设备中作为信号切换或功率管理组件。
DMP10H400SKE3, DMP10H400SKQ3
