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DMP10H400SK3-13 发布时间 时间:2025/7/3 23:28:19 查看 阅读:8

DMP10H400SK3-13 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的制程技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用。其封装形式为 SO8L,具有良好的散热性能和可靠性。
  该 MOSFET 主要用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用领域。

参数

最大漏源电压:400V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:0.55Ω
  栅极电荷:25nC
  总电容:130pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

DMP10H400SK3-13 提供了优异的电气特性和可靠性,使其非常适合高电压和高电流的应用场景。
  1. 高耐压能力:支持高达 400V 的漏源电压,能够承受高压环境下的运行需求。
  2. 低导通电阻:导通电阻仅为 0.55Ω,在高电流条件下可显著降低功耗。
  3. 快速开关能力:低栅极电荷设计使得开关速度快,从而提高了效率并降低了开关损耗。
  4. 广泛的工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +175℃ 的宽温区操作,适合各种恶劣环境下的应用。
  5. 小型封装:SO8L 封装节省了 PCB 空间,同时保持良好的散热性能。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括适配器、充电器和工业电源等。
  2. 直流-直流转换器:用于笔记本电脑、平板电脑以及其他便携式电子设备中的电压转换。
  3. 电机驱动:如家用电器、电动工具及小型电机控制。
  4. 负载开关:用于需要快速开启或关闭电路的场合。
  5. 电池保护:在电池管理系统中起到过流、短路保护作用。

替代型号

DMP2008UFG, DMN10H600SK3

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DMP10H400SK3-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥5.33000剪切带(CT)2,500 : ¥2.06612卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)240 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1239 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)42W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63