时间：2025/7/3 23:28:19
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DMP10H400SK3-13 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制程技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用。其封装形式为 SO8L，具有良好的散热性能和可靠性。
该 MOSFET 主要用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用领域。
最大漏源电压：400V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.55Ω
栅极电荷：25nC
总电容：130pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
DMP10H400SK3-13 提供了优异的电气特性和可靠性，使其非常适合高电压和高电流的应用场景。
1. 高耐压能力：支持高达 400V 的漏源电压，能够承受高压环境下的运行需求。
2. 低导通电阻：导通电阻仅为 0.55Ω，在高电流条件下可显著降低功耗。
3. 快速开关能力：低栅极电荷设计使得开关速度快，从而提高了效率并降低了开关损耗。
4. 广泛的工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +175℃ 的宽温区操作，适合各种恶劣环境下的应用。
5. 小型封装：SO8L 封装节省了 PCB 空间，同时保持良好的散热性能。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括适配器、充电器和工业电源等。
2. 直流-直流转换器：用于笔记本电脑、平板电脑以及其他便携式电子设备中的电压转换。
3. 电机驱动：如家用电器、电动工具及小型电机控制。
4. 负载开关：用于需要快速开启或关闭电路的场合。
5. 电池保护：在电池管理系统中起到过流、短路保护作用。
DMP2008UFG, DMN10H600SK3
