时间：2025/6/28 11:37:21
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DMP10H400SE-13是一款N沟道增强型MOSFET，采用超小型DFN封装。该器件主要应用于需要低导通电阻和高开关速度的场景中，具有出色的电气性能和热特性。
其设计特别适合于便携式设备、负载开关、DC-DC转换器、电池管理以及各种消费类电子产品中的功率管理应用。
型号：DMP10H400SE-13
封装：DFN2x2-8
Vds（漏源电压）：40V
Rds(on)（导通电阻）：6mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（持续漏极电流）：10A
Vgs（栅源电压）：±20V
Qg（总栅极电荷）：5nC
EAS（雪崩能量）：375mJ
fT（特征频率）：9.2MHz
工作温度范围：-55°C至+150°C
DMP10H400SE-13具备低导通电阻特性，可有效减少传导损耗，提高效率。
其超小型DFN封装有助于节省PCB空间，同时提供良好的散热性能。
该器件还具有快速开关能力，适用于高频应用环境。
它能够承受较高的漏源电压，并且拥有较强的抗雪崩能力，从而提高了系统的可靠性和稳定性。
此外，DMP10H400SE-13符合RoHS标准，绿色环保。
该MOSFET广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 手机和平板电脑等便携式设备的电源管理。
2. 笔记本电脑和台式机中的负载开关和保护电路。
3. DC-DC转换器及POL（Point of Load）调节器。
4. 电池充电和管理系统。
5. LED驱动器和电机控制。
6. 各种工业和消费电子产品的功率开关应用。
DMP2008UFG-7,DMP10H400LSE-13
