时间：2025/8/2 7:12:52
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DMP1055UFDB-7是一款由Diodes公司生产的P沟道MOSFET，采用SOT-223封装。该器件适用于负载开关、电源管理、电池供电设备等应用，具有低导通电阻、高可靠性及良好的热稳定性。DMP1055UFDB-7广泛用于便携式电子产品、DC-DC转换器和逻辑级控制电路中。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：-20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：-5.5A
导通电阻(RDS(on))：35mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：9.7nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOT-223
DMP1055UFDB-7是一款高性能的P沟道MOSFET，具有低导通电阻的特点，能够在高电流负载下保持较低的功率损耗。其35mΩ的RDS(on)值在VGS为-4.5V时即可实现，确保了在逻辑电平控制下的高效运行。
该器件的栅极电荷仅为9.7nC，有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。此外，DMP1055UFDB-7具有良好的热稳定性，在高负载条件下仍能维持稳定的性能表现。
该MOSFET的SOT-223封装设计提供了优良的散热能力，适用于空间受限的高密度PCB布局。其工作温度范围为-55°C至150°C，适合在多种环境条件下使用，确保长期运行的可靠性。
内置的ESD保护功能增强了器件在制造和使用过程中的抗静电能力，提升了产品在复杂电磁环境下的稳定性和耐用性。
DMP1055UFDB-7广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要高效电源管理和低功耗设计的场景中。常见的应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的电源开关电路。
在电池供电系统中，该MOSFET可作为负载开关，实现对不同模块的独立供电控制，延长电池续航时间。此外，DMP1055UFDB-7也适用于DC-DC转换器、LDO稳压器以及负载点（POL）电源管理系统。
由于其高可靠性和小尺寸封装，该器件也常用于汽车电子系统、工业自动化控制、通信设备以及嵌入式系统的电源管理模块。
Si7155DP-T1-GE3, FDC640P, IRML2602TRPBF
