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DMP1055UFDB-7 发布时间 时间:2025/8/2 7:12:52 查看 阅读:28

DMP1055UFDB-7是一款由Diodes公司生产的P沟道MOSFET,采用SOT-223封装。该器件适用于负载开关、电源管理、电池供电设备等应用,具有低导通电阻、高可靠性及良好的热稳定性。DMP1055UFDB-7广泛用于便携式电子产品、DC-DC转换器和逻辑级控制电路中。

参数

类型:P沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):-20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):-5.5A
  导通电阻(RDS(on)):35mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):9.7nC
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:SOT-223

特性

DMP1055UFDB-7是一款高性能的P沟道MOSFET,具有低导通电阻的特点,能够在高电流负载下保持较低的功率损耗。其35mΩ的RDS(on)值在VGS为-4.5V时即可实现,确保了在逻辑电平控制下的高效运行。
  该器件的栅极电荷仅为9.7nC,有助于降低开关损耗,提高整体系统效率。此外,DMP1055UFDB-7具有良好的热稳定性,在高负载条件下仍能维持稳定的性能表现。
  该MOSFET的SOT-223封装设计提供了优良的散热能力,适用于空间受限的高密度PCB布局。其工作温度范围为-55°C至150°C,适合在多种环境条件下使用,确保长期运行的可靠性。
  内置的ESD保护功能增强了器件在制造和使用过程中的抗静电能力,提升了产品在复杂电磁环境下的稳定性和耐用性。

应用

DMP1055UFDB-7广泛应用于各类电子设备中,特别是在需要高效电源管理和低功耗设计的场景中。常见的应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的电源开关电路。
  在电池供电系统中,该MOSFET可作为负载开关,实现对不同模块的独立供电控制,延长电池续航时间。此外,DMP1055UFDB-7也适用于DC-DC转换器、LDO稳压器以及负载点(POL)电源管理系统。
  由于其高可靠性和小尺寸封装,该器件也常用于汽车电子系统、工业自动化控制、通信设备以及嵌入式系统的电源管理模块。

替代型号

Si7155DP-T1-GE3, FDC640P, IRML2602TRPBF

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DMP1055UFDB-7参数

  • 现有数量0现货15,000Factory查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.69881卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)12V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.9A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)59 毫欧 @ 3.6A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20.8nC @ 8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1028pF @ 6V
  • 功率 - 最大值1.36W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装U-DFN2020-6(B 类)