型号：DMP1011LFV-7
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOT-723
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-1.3A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-2.6A
　　最大功耗（PD）：300mW
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -4.5V：28mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -2.5V：35mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -1.8V：50mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1V
　　栅极阈值电压测试条件：VDS = -2V, ID = -250μA
　　输入电容（Ciss）：70pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
　　反向传输电容（Crss）：12pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
　　输出电容（Coss）：65pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
　　开启延迟时间（td(on)）：4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：8ns
　　上升时间（tr）：5ns
　　下降时间（tf）：4ns
　　二极管正向压降（VSD）：-0.9V @ IS = -100mA
　　反向恢复时间（trr）：4ns

DMP1011LFV-7具备出色的电气性能和物理特性，特别适用于低电压、低功耗的开关应用。
　　其核心优势之一是极低的导通电阻，在VGS = -4.5V时仅为28mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现。即使在更低的驱动电压下（如-2.5V或-1.8V），其RDS(on)仍保持在合理范围内（分别为35mΩ和50mΩ），确保了在现代低压逻辑控制环境下的稳定工作能力。这种宽泛的栅极驱动适应性使得它能够兼容多种控制器输出电平，包括1.8V、2.5V和3.3V逻辑系统。
　　该器件的封装形式为SOT-723，是一种超小型表面贴装封装，仅占用极少的PCB面积，非常适合高密度布局需求的应用场景。尽管体积微小，但其热性能经过优化设计，能够有效传导热量，避免局部过热导致的性能下降或失效。此外，器件的输入电容（Ciss）仅为70pF，配合较低的栅极电荷（Qg），大幅减少了驱动电路所需的能量，有助于提升高频开关应用中的响应速度和效率。
　　DMP1011LFV-7还具备良好的瞬态响应能力，开启延迟时间为4ns，关断延迟时间为8ns，结合快速的上升与下降时间（均为5ns和4ns左右），使其能够在高速开关电路中实现精确控制。这对于负载切换、电源管理单元（PMU）中的开关操作以及LED背光驱动等应用至关重要。
　　另外，该MOSFET内置体二极管具有较短的反向恢复时间（trr = 4ns），可在感性负载切换过程中有效抑制电压尖峰，提升系统稳定性。总体而言，DMP1011LFV-7以其紧凑尺寸、优异电性能和高可靠性，成为众多便携式电子设备中不可或缺的关键元件。

DMP1011LFV-7广泛应用于各类便携式电子设备和低功耗电路中。
　　典型应用包括智能手机和平板电脑中的电源开关模块，用于控制不同功能模块的上电时序与断电管理，例如显示屏背光驱动、摄像头模组供电控制、无线通信模块（Wi-Fi/蓝牙）的电源启停等。由于其低导通电阻和小封装特性，非常适合用于电池供电系统的负载开关设计，能够在不增加额外功耗的前提下实现高效的电源路径管理。
　　在可穿戴设备（如智能手表、健康监测手环）中，DMP1011LFV-7可用于传感器电源控制，按需开启或关闭加速度计、心率传感器等外围器件，从而延长电池续航时间。此外，该器件也常被用作DC-DC转换器中的同步整流开关或低端开关，尤其适用于升压或降压拓扑结构中的P沟道高端侧开关配置，简化驱动电路设计。
　　在工业控制与消费类电子产品中，DMP1011LFV-7可用于LED驱动电路、电机驱动的小信号开关级、音频设备中的静音控制开关以及USB端口的过流保护与热插拔控制。其AEC-Q101认证资质也使其适用于部分汽车电子应用，如车载信息娱乐系统、车内照明控制、传感器接口电路等对可靠性要求较高的场合。总之，凡是需要小型化、高效率、低静态功耗的P沟道MOSFET解决方案，DMP1011LFV-7都是一个极具竞争力的选择。

DMG1011UFG-7
　　DMP1011LW-7
　　AOZ5011PI