时间：2025/5/20 14:01:42
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DMNH6065SSD 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 SuperSOT-523 封装，具有低导通电阻和快速开关特性。它广泛应用于便携式设备、负载开关、DC/DC 转换器以及电池供电的电路中。
这款 MOSFET 以其卓越的性能和紧凑的封装形式著称，能够在高频应用中提供高效的功率转换和开关功能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：4.2A
导通电阻：190mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
总功耗：700mW
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
DMNH6065SSD 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻使其在高效率的应用中表现优异。
2. 快速开关能力，适合高频操作环境。
3. 超小型 SuperSOT-523 封装，节省 PCB 空间。
4. 高度可靠的设计，适用于多种工业和消费类电子领域。
5. 支持高达 60V 的漏源电压，确保在各种电压条件下稳定运行。
6. 工作温度范围广，适应极端环境条件。
DMNH6065SSD 常用于以下应用领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电池管理系统的负载开关。
3. 各种便携式设备中的电源控制，例如手机、平板电脑和其他手持设备。
4. DC/DC 转换器和电机驱动电路。
5. 保护电路，如过流保护和短路保护。
6. 信号电平转换和逻辑接口切换。
DMTH4008SSD, DMNQ2009LSSD
