时间：2025/4/29 16:17:46
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DMNH6042SSD是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率功率转换和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，能够在高频和大电流条件下提供高效的功率传输。
DMNH6042SSD封装形式为SuperSO8，这种封装能够有效降低寄生电感并提高散热能力，使其非常适合用于要求高性能和小尺寸的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：37A
导通电阻：4.2mΩ
栅极电荷：58nC
输入电容：1730pF
总电容：1900pF
结温范围：-55℃至175℃
DMNH6042SSD具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，有助于降低开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常情况下仍能可靠工作。
4. SuperSO8封装，具备出色的散热性能和电气性能。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 提供强大的短路耐受能力，增强了器件的可靠性。
DMNH6042SSD广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率MOSFET。
2. 电机驱动电路中的功率开关元件。
3. DC-DC转换器中的同步整流MOSFET。
4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
5. 工业控制设备中的功率级驱动元件。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备中的功率转换模块。
DMN1042SSD
DMN2042SSD
NTMFS5C626
FDP5500
