时间：2025/8/2 5:40:32
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DMNH4026SSD-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 8-SOIC 封装形式。该器件适用于高频率开关应用，具有低导通电阻和高开关速度的特点。DMNH4026SSD-13 主要用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等应用中。
类型：N 沟道 MOSFET
封装类型：8-SOIC
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极连续电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：42mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
DMNH4026SSD-13 MOSFET 具有低导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现高速开关操作，减少开关损耗。此外，该 MOSFET 的封装形式为 8-SOIC，适合表面贴装技术（SMT）应用，便于在紧凑型 PCB 设计中使用。
DMNH4026SSD-13 采用先进的沟槽技术，提供优异的热稳定性和可靠性，适用于各种高要求的电源管理应用。其工作温度范围宽，可在极端环境条件下稳定运行。该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路的设计。
在热管理方面，DMNH4026SSD-13 的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。这种特性使其非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器、负载开关以及需要快速开关响应的电机控制电路中。
DMNH4026SSD-13 MOSFET 常用于电源管理领域，如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等应用。由于其低导通电阻和高开关速度，该器件在电池供电设备中表现出色，能够有效延长电池寿命。此外，DMNH4026SSD-13 也可用于电机控制、LED 驱动电路以及各种需要高效率开关操作的电子系统中。
DMNH4035SSD-13, DMN6026SSD-13, DMN6024SSD-13
