DMNH4015SSD-13是一款由Diodes Incorporated生产的双极性晶体管(BJT)阵列器件,包含两个NPN晶体管。这款芯片设计用于需要高增益、低噪声和高频率性能的应用场合,非常适合在射频(RF)和模拟电路中使用。DMNH4015SSD-13采用了SOT-23(Small Outline Transistor)封装,具有小尺寸和良好的热性能,使其适用于紧凑型电子设备和高密度电路板设计。
晶体管类型:NPN
配置:双晶体管阵列(两个独立的NPN晶体管)
集电极-发射极电压(Vceo):40V
集电极-基极电压(Vcbo):50V
发射极-基极电压(Vebo):5V
集电极电流(Ic):100mA
功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C至150°C
增益(hFE):110至800(根据工作电流不同而变化)
过渡频率(fT):100MHz
封装类型:SOT-23
DMNH4015SSD-13的核心优势在于其高增益特性,能够提供卓越的信号放大性能。每个晶体管的hFE值在不同工作电流下可达到110至800,使得该器件在低噪声放大器、射频开关、缓冲器和驱动电路中表现优异。此外,该器件的过渡频率(fT)为100MHz,表明其在高频应用中具有良好的响应能力。
由于采用SOT-23封装,DMNH4015SSD-13不仅占用空间小,而且具有良好的热管理和电气性能,适合在高密度PCB设计中使用。其双晶体管结构允许两个晶体管独立使用,或在推挽配置中协同工作,以实现更高的输出能力和效率。
此外,DMNH4015SSD-13的低噪声特性使其非常适合用于前置放大器和其他对噪声敏感的电路。其工作温度范围宽达-55°C至150°C,适合在工业和汽车环境中使用。
DMNH4015SSD-13广泛应用于需要高性能双极性晶体管的场合。常见应用包括射频放大器、低噪声前置放大器、音频放大器、开关电路、缓冲器和驱动电路。由于其高频率响应和低噪声特性,该器件特别适用于通信设备、消费电子产品、汽车电子系统以及工业控制设备。
在射频应用中,DMNH4015SSD-13可用于构建高频放大器和混频器。在音频电路中,它可用于前置放大器和音调控制电路。在数字电路中,它可以作为开关晶体管使用,适用于继电器、LED和小型电机的控制。
BC847BDS, 2N3904, BC547, MMBT3904