时间：2025/5/21 10:24:20
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DMN67D8LW是一款由Diodes公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用DFN5060-24封装形式。该器件专为低功耗和高效能应用设计，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于多种便携式电子设备和电源管理解决方案。
该型号主要面向消费类电子产品市场，例如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的负载开关、电池保护电路以及DC-DC转换器等场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：6nC（典型值）
开关速度：快速
封装形式：DFN5060-24
工作温度范围：-55°C至150°C
DMN67D8LW具有非常低的导通电阻，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。此外，其小型化的DFN封装有助于节省PCB空间，非常适合空间受限的设计。
该器件还具备优异的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。同时，其快速的开关速度使其非常适合高频开关应用，如同步整流和负载切换等场景。
由于采用了先进的制造工艺，DMN67D8LW在静态和动态性能方面均表现出色，可显著提高系统的整体效能。
DMN67D8LW广泛应用于各类消费类电子产品中，包括但不限于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑中的负载开关
2. 电池供电设备中的电池保护电路
3. 各种DC-DC转换器和降压/升压模块
4. USB充电端口保护
5. 小型化电源适配器及充电器
6. 便携式医疗设备和物联网终端设备中的电源管理单元
DMN67D8LW-7, DMN67D8LW-13
