时间：2025/12/26 9:48:06
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DMN67D8L-7是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、开关电路和负载驱动等场景。该器件采用SOT-23封装，具有体积小、功耗低、开关速度快等特点，非常适合在便携式电子设备和高密度PCB布局中使用。其额定电压为-30V，连续漏极电流可达-500mA，适用于低功率应用中的信号切换与电源控制任务。由于采用了先进的沟道技术，DMN67D8L-7在导通电阻方面表现出色，有助于降低系统功耗并提升整体效率。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，能够在工业级温度范围内稳定工作，是消费类电子产品、通信设备以及电池供电系统中的理想选择之一。
型号：DMN67D8L-7
类型：N沟道MOSFET
封装：SOT-23
极性：N-Channel
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：500mA
脉冲漏极电流（Idm）：2A
导通电阻（Rds(on)）：350mΩ @ Vgs=10V, Id=500mA
阈值电压（Vgs(th)）：1.2V ~ 2.5V
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
功率耗散（Pd）：300mW
输入电容（Ciss）：110pF @ Vds=15V
开启时间（Ton）：约10ns
关断时间（Toff）：约15ns
DMN67D8L-7采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，具备优异的电学性能和稳定性。其最大漏源电压为30V，能够满足多数低压直流系统的应用需求，同时支持高达±20V的栅源电压，增强了对瞬态过压的耐受能力。该器件的导通电阻典型值仅为350mΩ，在低电流负载下可显著减少功率损耗，提高能效表现。得益于较小的封装尺寸和高效的热传导设计，即使在紧凑空间内也能保持良好散热性能。
该MOSFET的阈值电压范围为1.2V至2.5V，使其能够兼容多种逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V微控制器输出，适用于数字开关控制场合。此外，其快速的开关响应时间（开启约10ns，关断约15ns）确保了在高频操作下的高效运行，适合用于PWM调光、电机驱动或电源序列控制等应用场景。输入电容仅为110pF，降低了驱动电路的负载压力，有利于简化外围驱动设计。
SOT-23封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升了制造效率。器件工作温度范围宽达-55℃至+150℃，保证了在极端环境条件下的可靠运行。DMN67D8L-7通过了AEC-Q101认证（如适用），具备较高的长期稳定性与抗老化能力。其无铅、无卤素的设计符合现代绿色电子产品的环保要求，适用于消费电子、工业控制、汽车电子辅助系统等领域。
DMN67D8L-7常用于各类低功率开关电路中，例如便携式设备的电源管理模块、LED驱动电路、电池充放电控制、传感器信号切换以及微控制器I/O扩展驱动等。其小封装和低功耗特性使其成为智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端中的理想选择。此外，也可用于音频开关、DC-DC转换器同步整流、继电器替代以及各类逻辑电平转换电路中。在汽车电子领域，可用于车用摄像头电源控制、车载信息娱乐系统的信号切换等功能模块。由于其良好的温度适应性与电气性能，也适用于工业自动化设备中的小型执行机构控制。
DMG2305U-7
DMN10H400L-7
AO3400A
SI2302DS
