DMN63D8LV 时间：2025/5/7 12:21:15 阅读：8

DMN63D8LV 是一款 N 沣道场效应晶体管（MOSFET），采用 Logic Level 设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于多种功率转换和负载驱动应用。该器件采用了 DFN3030-8 封装形式，具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的要求。
　　Logic Level MOSFET 的设计使得该器件能够在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，从而非常适合电池供电的便携式设备和其他低电压系统。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：4.2A
　　导通电阻：5.5mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
　　栅极电荷：13nC（典型值）
　　开关时间：t_on=17ns，t_off=24ns（典型值）
　　封装形式：DFN3030-8
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

DMN63D8LV 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 快速开关速度，适合高频应用。
　　3. Logic Level 栅极驱动设计，可与低电压微控制器或逻辑电路直接兼容。
　　4. 紧凑的 DFN3030-8 封装形式，占用较少的 PCB 面积。
　　5. 良好的热性能和电气性能稳定性，适合在各种环境下使用。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
　　这些特点使 DMN63D8LV 成为一种高效、可靠的功率开关解决方案，适用于多种消费类电子产品和工业应用。

应用

DMN63D8LV 广泛应用于以下领域：
　　1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
　　2. DC-DC 转换器和降压稳压器。
　　3. 电机驱动和电池保护电路。
　　4. 固态继电器和信号切换。
　　5. 便携式设备中的电池管理。
　　6. 工业自动化和控制系统的功率开关。
　　由于其低导通电阻和快速开关能力，DMN63D8LV 在需要高效功率转换和开关操作的应用中表现出色。