您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DMN63D8L

DMN63D8L 发布时间 时间:2025/5/9 13:05:10 查看 阅读:17

DMN63D8L是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用超小型DFN2020-8封装,非常适合空间受限的应用场景。DMN63D8L具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  这款MOSFET适用于多种消费电子、工业控制和通信设备中的负载切换、同步整流以及DC-DC转换等应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻:75mΩ
  栅极电荷:4nC
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

DMN63D8L采用了先进的制造工艺以实现极低的导通电阻,这有助于减少传导损耗并提升整体能效。其紧凑的DFN2020-8封装不仅节省了PCB面积,还增强了散热性能。此外,该器件具备出色的热稳定性和电气可靠性,在高温环境下仍能保持良好的工作状态。
  它支持快速开关操作,适合高频应用场合,并且拥有较低的输入和输出电容,进一步优化了开关性能。DMN63D8L的设计符合RoHS标准,绿色环保。

应用

DMN63D8L广泛应用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑及可穿戴设备中的电源管理模块。同时,在固态硬盘(SSD)、USB接口保护电路、电池管理系统等领域也有着重要用途。
  在工业领域,它可以用于电机驱动、继电器替代方案以及各种形式的开关调节器中。另外,由于其卓越的性能表现,DMN63D8L还被推荐用作信号路径上的保护元件。

替代型号

DMN63D8L-13, DMN6048L, DMN6048L-13

DMN63D8L推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DMN63D8L资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载