DMN63D8L是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用超小型DFN2020-8封装,非常适合空间受限的应用场景。DMN63D8L具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款MOSFET适用于多种消费电子、工业控制和通信设备中的负载切换、同步整流以及DC-DC转换等应用。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:3.9A
导通电阻:75mΩ
栅极电荷:4nC
工作温度范围:-55℃ to 150℃
DMN63D8L采用了先进的制造工艺以实现极低的导通电阻,这有助于减少传导损耗并提升整体能效。其紧凑的DFN2020-8封装不仅节省了PCB面积,还增强了散热性能。此外,该器件具备出色的热稳定性和电气可靠性,在高温环境下仍能保持良好的工作状态。
它支持快速开关操作,适合高频应用场合,并且拥有较低的输入和输出电容,进一步优化了开关性能。DMN63D8L的设计符合RoHS标准,绿色环保。
DMN63D8L广泛应用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑及可穿戴设备中的电源管理模块。同时,在固态硬盘(SSD)、USB接口保护电路、电池管理系统等领域也有着重要用途。
在工业领域,它可以用于电机驱动、继电器替代方案以及各种形式的开关调节器中。另外,由于其卓越的性能表现,DMN63D8L还被推荐用作信号路径上的保护元件。
DMN63D8L-13, DMN6048L, DMN6048L-13