DMN63D1LDW 时间：2025/5/23 0:57:38 阅读：9

DMN63D1LDW是一款由Diodes Incorporated生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用DFN2020-8封装，适用于需要低导通电阻和高效率的应用场景。它具有极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗，并提供卓越的开关性能。
　　DMN63D1LDW属于N沟道增强型MOSFET，通常用于消费电子、计算机及外设、通信设备等领域的电源管理与信号切换。

参数

最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：3.1A
　　导通电阻(Rds(on))：75mΩ
　　总功耗(Ptot)：0.39W
　　工作温度范围(Ta)：-55℃至175℃
　　封装类型：DFN2020-8

特性

DMN63D1LDW具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低功率损耗并提升系统效率。
　　2. 高温工作能力，支持最高结温达到175℃，适合高温环境应用。
　　3. 小型化DFN2020-8封装，节省PCB空间，满足紧凑型设计需求。
　　4. 支持高速开关操作，适用于高频DC-DC转换器和负载开关。
　　5. 提供出色的热性能和电气稳定性，确保长时间稳定运行。

应用

DMN63D1LDW广泛应用于以下领域：
　　1. 移动设备中的电源管理，如智能手机和平板电脑。
　　2. 笔记本电脑及外设中的负载开关和保护电路。
　　3. 消费类电子产品中的电池管理模块。
　　4. 电信和网络设备中的电源转换解决方案。
　　5. LED驱动器和背光控制电路。
　　6. 各种小型化、高效化的工业控制和汽车电子系统。