时间：2025/7/11 21:09:41
阅读：7
DMN63D1L-7是一款由Diodes Incorporated公司生产的N沟道MOSFET晶体管。该器件采用DFN3030-8封装形式，具有极低的导通电阻和快速开关速度，非常适合用于便携式设备、计算机外设、消费类电子产品中的负载开关、同步整流及电源管理等应用。
该器件的主要特点是其出色的效率和较小的封装尺寸，有助于设计人员实现更紧凑的电路布局并减少整体功耗。
最大漏源电压：30V
连续漏电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：1.8nC
总热阻（结到环境）：125°C/W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：DFN3030-8
DMN63D1L-7具备非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它能够在高电流应用中保持较低的功耗。
此外，其小尺寸的DFN3030-8封装有助于节省PCB空间，特别适合对空间要求严格的便携式应用。
快速开关性能减少了开关损耗，并提高了整体系统效率。
该器件还具有较高的电流承载能力以及良好的热稳定性，确保在各种工作条件下都能可靠运行。
DMN63D1L-7广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 消费类电子产品的负载开关
2. 电池供电设备中的电源管理
3. 各种适配器和充电器的同步整流
4. 计算机外设如打印机、扫描仪中的电源控制
5. LED驱动器中的高效开关元件
6. 工业控制中的小型化解决方案
DMN6041L-7, DMN6043L-7
