型号：DMN62D1SFB-7B
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：P沟道增强型MOSFET
　　封装类型：SOT-723 (SC-89)
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-1.8A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-3.6A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=-4.5V：35mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=-2.5V：48mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=-1.8V：65mΩ
　　阈值电压(Vth)：-0.65V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：170pF @ VDS = 10V, VGS = 0V
　　输出电容(Coss)：85pF @ VDS = 10V, VGS = 0V
　　反向传输电容(Crss)：25pF @ VDS = 10V, VGS = 0V
　　总栅极电荷(Qg)：2.5nC @ VDS = 10V, ID = 1.8A
　　功率耗散(PD)：350mW
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C

DMN62D1SFB-7B采用先进的TrenchFET工艺制造，具备极低的导通电阻，这使得它在小尺寸封装下仍能提供出色的电流处理能力与能效表现。其RDS(on)在VGS=-4.5V时仅为35mΩ，在VGS=-2.5V时为48mΩ，这一特性使其特别适用于低电压、低功耗系统中，例如移动设备中的电源路径管理或电池开关应用。该器件的阈值电压较低，典型值约为-0.8V左右，确保了在逻辑电平控制下能够可靠开启，适用于由3.3V或更低电压微控制器直接驱动的场景。
　　该MOSFET的小型SOT-723封装不仅节省PCB空间，还具有良好的热性能，配合合理的布局设计可有效散热。其输入、输出及反向传输电容均经过优化，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升整体系统效率。同时，较低的栅极电荷（Qg=2.5nC）进一步降低了驱动所需的功耗，提升了高频开关应用下的响应速度与稳定性。
　　DMN62D1SFB-7B具备良好的抗雪崩能力和过温保护特性，能够在瞬态过载条件下维持一定的鲁棒性。器件的可靠性经过严格测试，符合工业级温度范围要求（-55°C至+150°C），可在严苛环境下稳定运行。此外，该产品通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。其无铅、无卤素的设计符合现代环保法规如RoHS和REACH标准，支持绿色制造流程。

DMN62D1SFB-7B常被用于需要紧凑设计和高效能表现的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关或电源选通控制；也可作为电池供电系统的通断控制元件，用于防止反向电流或实现多电源路径切换。在嵌入式系统中，该器件可用于GPIO扩展后的电源控制，或用于隔离不同功能模块以降低待机功耗。此外，它还可应用于DC-DC转换器中的同步整流辅助电路、LED背光驱动的开关控制，以及各类低电压信号切换任务。由于其优异的开关特性和小尺寸优势，该MOSFET也广泛出现在无线传感器网络节点、IoT终端设备和智能家居控制板中，承担电源门控和节能管理的角色。工业自动化设备中的一些低功率继电器替代方案也会采用此类MOSFET来实现固态开关功能，从而提高系统寿命和响应速度。

DMG2302UK-7