类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：-400mA
　　脉冲漏极电流（Idm）：-1.2A
　　导通电阻Rds(on)：-0.125Ω @ Vgs = -4.5V
　　导通电阻Rds(on)：-0.165Ω @ Vgs = -2.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：90pF @ Vds=10V
　　反向传输电容（Crss）：15pF @ Vds=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：7ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-70)
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：1
　　功率耗散（Pd）：350mW

DMN61D8LQ-7作为一款高性能P沟道MOSFET，在多个方面表现出色。首先，其-20V的漏源电压额定值使其适用于大多数低电压电源管理场景，如1.8V、3.3V或5V逻辑系统中的负载开关或电平转换器驱动。在Vgs=-4.5V时，Rds(on)仅为125mΩ，而在更低的驱动电压Vgs=-2.5V下仍能保持165mΩ的低阻态，这表明该器件在电池供电设备中即使在电压下降的情况下也能维持较高的效率。
　　该器件的阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，确保了可靠的关断与开启行为，避免因阈值漂移导致的误触发问题。此外，其较低的输入电容（Ciss=90pF）和反向传输电容（Crss=15pF）有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频切换性能，适合用于DC-DC转换器的同步整流或信号路径切换等应用。
　　SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的热稳定性与焊接可靠性，适用于自动化贴片生产线。尽管封装小巧，但其最大功耗可达350mW，配合适当的PCB布局可实现有效散热。器件的工作结温高达+150°C，体现了其在恶劣环境下的稳定运行能力。
　　DMN61D8LQ-7经过严格的质量控制流程生产，具有高良率和长期可靠性，适用于工业级和消费级产品。同时，该器件支持无铅回流焊工艺，符合现代电子制造对环保和可持续发展的要求。其高度集成的特性使得设计工程师可以在不牺牲性能的前提下简化电路设计，降低整体系统成本。

DMN61D8LQ-7常用于各类便携式电子设备中的电源管理与信号控制功能。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电池供电切换、负载开关控制以及上电顺序管理。由于其P沟道特性，特别适合用作高边开关，在电源路径中实现对后级电路的通断控制，避免不必要的待机功耗。
　　在DC-DC转换器电路中，该器件可用于同步降压拓扑中的上管开关，或者作为线性稳压器的补充开关元件。此外，它也广泛应用于I/O口电平转换电路、LED驱动开关、传感器使能控制、USB端口电源管理等领域。
　　在工业控制和通信模块中，DMN61D8LQ-7可用于隔离不同电源域、防止反向电流流动或实现故障保护机制。其小型封装使其成为高密度PCB设计的理想选择，尤其是在追求轻薄化和微型化的终端产品中表现突出。

DMG2301U

DMN61D8LQ-7