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DMN6140LQ-7 发布时间 时间:2025/7/12 19:45:44 查看 阅读:9

DMN6140LQ-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平 MOSFET,采用微型封装设计。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能电源管理应用。其小尺寸和高性能特点使其成为便携式设备、消费电子以及工业控制的理想选择。
  这款 MOSFET 通过优化的制造工艺实现了低导通损耗和高效率,同时具备出色的热稳定性和耐用性,能够在苛刻的工作条件下保持可靠性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.9A
  导通电阻(典型值):35mΩ
  栅极阈值电压:1.2V
  功耗:1.1W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

DMN6140LQ-7 提供了极低的导通电阻,确保在高频开关应用中降低功率损耗。
  它采用了 SOT-363 小型封装,适合空间受限的设计需求。
  由于其低栅极电荷和快速开关速度,该 MOSFET 能够显著提高效率并减少发热。
  此外,DMN6140LQ-7 支持宽范围的工作温度,保证了在极端环境下的稳定性。
  其逻辑电平驱动兼容性简化了电路设计,无需额外的驱动器组件。

应用

DMN6140LQ-7 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池保护电路等领域。
  在消费类电子产品中,如智能手机和平板电脑充电器中可以用作同步整流器或功率开关。
  此外,在工业自动化领域,它可以用于信号调节和小型继电器驱动。
  汽车电子方面,该元件也适用于 LED 驱动和车载信息娱乐系统中的电源管理部分。

替代型号

DMN6140UJ-7
  DMN6040LQ-7
  BSC048N06NS3

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DMN6140LQ-7参数

  • 现有数量7,318现货
  • 价格1 : ¥3.02000剪切带(CT)3,000 : ¥0.86771卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)140 毫欧 @ 1.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)315 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)700mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3