DMN6140LQ-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平 MOSFET,采用微型封装设计。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能电源管理应用。其小尺寸和高性能特点使其成为便携式设备、消费电子以及工业控制的理想选择。
这款 MOSFET 通过优化的制造工艺实现了低导通损耗和高效率,同时具备出色的热稳定性和耐用性,能够在苛刻的工作条件下保持可靠性能。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:4.9A
导通电阻(典型值):35mΩ
栅极阈值电压:1.2V
功耗:1.1W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
DMN6140LQ-7 提供了极低的导通电阻,确保在高频开关应用中降低功率损耗。
它采用了 SOT-363 小型封装,适合空间受限的设计需求。
由于其低栅极电荷和快速开关速度,该 MOSFET 能够显著提高效率并减少发热。
此外,DMN6140LQ-7 支持宽范围的工作温度,保证了在极端环境下的稳定性。
其逻辑电平驱动兼容性简化了电路设计,无需额外的驱动器组件。
DMN6140LQ-7 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池保护电路等领域。
在消费类电子产品中,如智能手机和平板电脑充电器中可以用作同步整流器或功率开关。
此外,在工业自动化领域,它可以用于信号调节和小型继电器驱动。
汽车电子方面,该元件也适用于 LED 驱动和车载信息娱乐系统中的电源管理部分。
DMN6140UJ-7
DMN6040LQ-7
BSC048N06NS3