时间：2025/5/20 19:45:23
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DMN6140L-7是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用超小型DFN封装，适用于高效能开关和负载切换应用。该器件由Diodes公司生产，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于便携式设备、电源管理模块以及各类需要低功耗的应用场景。
这款MOSFET的设计优化了空间利用率和散热性能，使其成为移动设备和消费电子产品的理想选择。
型号：DMN6140L-7
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：9mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
Id（持续漏极电流）：4A
Vgs（栅源极电压）：±8V
封装：DFN2020-6
工作温度范围：-55℃至150℃
DMN6140L-7的主要特性包括：
1. 超低的导通电阻（Rds(on)），确保在大电流应用中减少功率损耗。
2. 高速开关性能，适合高频DC-DC转换器和负载开关应用。
3. 小型化封装设计（DFN2020-6），节省PCB空间，同时提供良好的热性能。
4. 支持宽范围的工作温度，能够在极端环境下稳定运行。
5. 具有ESD保护功能，提高系统可靠性。
这些特点使DMN6140L-7特别适合用于便携式电子产品、电池供电设备、LED驱动器等应用领域。
DMN6140L-7广泛应用于以下场景：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. USB端口保护和充电电路。
3. DC-DC转换器及升压/降压电路。
4. LED背光驱动和小型电机控制。
5. 消费类电子产品中的信号切换和逻辑电平转换。
由于其高效的性能和紧凑的封装，该MOSFET非常适合要求高集成度和低功耗的设计。
DMN6040L-7, BSS138, AO3400
