时间：2025/4/30 15:37:18
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DMN60H080DS 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于高功率开关应用。它采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率特性，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载切换等领域。
该器件的封装形式为 SuperSO8（SOP8），具有出色的散热性能和紧凑的尺寸，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：60A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：37nC
输入电容：1280pF
总功耗：30W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
DMN60H080DS 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 60A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷，可减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 小型化封装设计，便于在紧凑型电路中使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
DMN60H080DS 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电机驱动和控制电路中的功率开关。
3. 电池管理系统中的负载切换开关。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 电信和网络设备中的高效电源管理方案。
6. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV）中的电池保护和能量管理。
DMN60H080DSE
IRF6680
FDP60N08
AON60H080
