DMN60H080DS 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于高功率开关应用。它采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率特性,广泛应用于电源管理、电机驱动和负载切换等领域。
该器件的封装形式为 SuperSO8(SOP8),具有出色的散热性能和紧凑的尺寸,非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压:80V
连续漏极电流:60A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:37nC
输入电容:1280pF
总功耗:30W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
DMN60H080DS 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力,支持高达 60A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷,可减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 小型化封装设计,便于在紧凑型电路中使用。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
DMN60H080DS 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 电机驱动和控制电路中的功率开关。
3. 电池管理系统中的负载切换开关。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 电信和网络设备中的高效电源管理方案。
6. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的电池保护和能量管理。
DMN60H080DSE
IRF6680
FDP60N08
AON60H080