时间：2025/6/30 17:28:28
阅读：2
DMN6075SQ 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 Vishay 公司的 Siliconix 系列。该器件采用小型化的 SOT-23 封装，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于多种高效能功率转换应用。DMN6075SQ 主要用于需要高效率、小尺寸解决方案的场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极电荷：3nC
总功耗：480mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
DMN6075SQ 采用了 Vishay 的先进工艺技术，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 小型化 SOT-23 封装，节省 PCB 面积。
4. 高浪涌能力，能够在瞬态条件下提供可靠的保护。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
DMN6075SQ 广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备领域，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的功率开关。
3. 电池供电设备的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 各种便携式设备的保护电路。
DMN6075S, DMN6075SLR
