时间：2025/6/29 0:18:54
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DMN6075SQ-7是来自Diodes Incorporated的一款N沟道MOSFET功率晶体管，采用超小型DFN3030-8封装。该器件设计用于要求低导通电阻和高效率的应用场合，广泛适用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
其主要特点是具备极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少功率损耗并提高系统效率，同时支持快速开关速度以适应高频工作需求。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.9A
导通电阻(Rds(on))：7mΩ
栅极电荷(Qg)：12nC
总电容(Ciss)：1080pF
工作结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
DMN6075SQ-7具有非常低的导通电阻，在整个负载范围内都能提供卓越的效率表现。
该器件采用DFN3030-8封装，具有良好的热性能和电气性能，适合紧凑型设计。
其快速开关能力使其非常适合于高频DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等应用。
此外，DMN6075SQ-7还具备出色的耐用性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
该器件适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 各类开关模式电源(SMPS)，如AC-DC适配器、USB充电器等。
2. 高效同步整流电路。
3. 消费类电子产品中的负载开关功能。
4. 工业领域的小型电机驱动控制。
5. 便携式设备及电池管理系统(BMS)中的功率管理模块。
DMN6065SQ, DMN6075LQ-7
