类型：P沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　连续漏极电流（ID）：-600mA
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-20V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.4V
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -4.5V；60mΩ @ VGS = -2.5V
　　输入电容（Ciss）：230pF @ VDS = 10V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS = 10V
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　最大功耗（PD）：350mW

DMN6075SQ-13的电气特性使其在同类P沟道MOSFET中具备较强的竞争力。其导通电阻在低栅极驱动电压下表现优异，例如在VGS = -2.5V时，RDS(on)仅为60mΩ，这使得它非常适合用于电池供电设备中，能够有效降低导通损耗，延长电池寿命。同时，在VGS = -4.5V条件下，其导通电阻进一步降低至45mΩ，适用于对效率要求更高的应用场景。该器件的栅极阈值电压范围为-0.8V至-1.4V，确保了在低电压逻辑控制下的可靠开关行为，支持与3.3V或更低电压的数字输出直接接口，无需电平转换器或推挽驱动电路。
　　该MOSFET具有较低的输入电容和反向传输电容，分别为230pF和50pF（测试条件为VDS=10V），这意味着其开关速度较快，且受米勒效应影响较小，有助于减少开关过程中的能量损耗和噪声干扰。这对于高频开关应用尤为重要，尤其是在DC-DC转换器或同步整流电路中，能够提升整体系统效率。
　　此外，DMN6075SQ-13具备良好的热性能，尽管其SOT-23封装尺寸小，但在适当的PCB布局下仍可实现有效的散热。其最大功耗为350mW，结合较低的RDS(on)，可在轻载和中等负载条件下保持低温运行，提高系统的长期稳定性。器件内部结构经过优化，具备一定的抗静电能力（HBM模型），但建议在使用过程中采取必要的ESD防护措施以确保可靠性。
　　该MOSFET还具备较强的耐用性，能够承受一定的浪涌电流和瞬态过压，适用于存在电源波动的应用环境。其可靠的制造工艺保证了批次间的一致性，有利于大规模生产中的质量控制。总体而言，DMN6075SQ-13凭借其低导通电阻、逻辑电平兼容性、小型封装和高可靠性，成为众多低功率模拟和数字开关电路中的首选器件之一。

DMN6075SQ-13主要应用于需要高效、小型化电源管理解决方案的电子系统中。典型应用包括便携式设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于控制不同功能模块的电源通断，从而实现节能和电源隔离。在这些设备中，该MOSFET可以作为主电源路径的开关元件，配合控制器实现软启动和过流保护功能。
　　另一个重要应用是电池供电系统的电源切换与反向电流阻断。由于其P沟道结构，DMN6075SQ-13天然适合用于高边开关配置，在电池更换或充电过程中防止电流倒灌至电源端，保护电池和系统电路。这种特性在单节锂电池供电的产品中尤为关键，例如蓝牙耳机、智能手环、无线传感器节点等。
　　此外，该器件也常用于DC-DC转换器中的同步整流或续流路径，特别是在降压变换器的上管位置，当主N沟道MOSFET关闭时，DMN6075SQ-13可提供低损耗的电流回路。虽然其电流能力有限，但在小功率DC-DC模块中仍具有实用价值。
　　在GPIO扩展或I/O口电平切换电路中，DMN6075SQ-13可用于实现电平转换或信号隔离，尤其适用于多电压域系统中的电源域切换。例如，在MCU核心电压为1.8V而外设为3.3V的系统中，可通过该MOSFET实现安全的电源域控制。
　　其他应用还包括LED驱动开关、继电器驱动缓冲级、热插拔保护电路以及各类消费类电子产品中的电源管理单元。由于其SOT-23封装易于布局和焊接，特别适合高密度PCB设计，满足现代电子产品小型化趋势的需求。

DMG2305LUS-7
　　 FDC630P
　　 SI2301ADS-S16-9
　　 AO3401A
　　 BSS84