时间：2025/6/25 21:04:32
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DMN6075SD-7是来自Diodes Incorporated的一款N沟道MOSFET功率晶体管，采用SOT23-3L封装。该器件适用于低电压、低功耗的应用场合，具有出色的开关性能和低导通电阻特性，使其成为便携式电子设备、消费类电子产品及电源管理应用的理想选择。
DMN6075SD-7的设计注重效率与小型化，能够有效减少系统能耗并优化空间利用率。
型号：DMN6075SD-7
封装：SOT23-3L
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：1.4Ω（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：0.58A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.6V（最大值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
总功耗：420mW
DMN6075SD-7是一款高效且紧凑的N沟道MOSFET，其主要特性如下：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，并提高整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频电路设计。
3. 小型化的SOT23-3L封装，非常适合对空间敏感的应用场景。
4. 宽广的工作温度范围（-55℃至+150℃），能够在各种环境条件下稳定运行。
5. 较低的栅极电荷（Qg），简化驱动设计并提升效率。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
DMN6075SD-7通过其优越的电气特性和可靠性，为工程师提供了高性价比的解决方案。
DMN6075SD-7广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理。
4. LED驱动电路中的开关元件。
5. 便携式设备中的保护电路，例如过流保护和短路保护。
6. 数据通信设备中的信号切换。
由于其低导通电阻和小尺寸的特点，DMN6075SD-7在需要高效能和紧凑设计的应用中表现出色。
DMN6075UF-7
DMN6076SD-7
