时间：2025/12/23 19:25:02
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DMN6075S-7是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种电源管理和功率转换应用。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的设计环境。
DMN6075S-7的主要特点是低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，它还具备良好的热性能和电气性能，确保在高电流和高频条件下稳定运行。
类型：N沟道 MOSFET
封装：DFN1010-7 (1mm x 1mm)
Vds（漏源极击穿电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
Id（连续漏极电流）：7.6A
Vgs（栅源电压）：±8V
工作温度范围：-55℃至150℃
输入电容Ciss：22nF
输出电容Crss：1.2nF
反向传输电容Coss：99pF
1. 超低导通电阻（Rds(on)）可显著降低传导损耗，提升效率。
2. 小型化DFN1010-7封装适合紧凑型设计。
3. 高开关速度支持高频应用。
4. 良好的热稳定性使器件能够在较宽的温度范围内可靠工作。
5. 具备ESD保护功能以增强可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 移动设备中的负载开关。
2. 消费类电子产品的DC-DC转换器。
3. 便携式设备中的电池管理电路。
4. 各种电源管理模块。
5. 电机驱动及信号切换。
6. 通信设备中的功率级控制。
DMN2075UFQ, DMN2075SFQ, BSC004N03LSG
