时间：2025/8/2 10:04:08
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DMN6070SSDQ-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和负载开关等应用。该器件采用小型无铅封装，适用于需要高效率和紧凑设计的便携式电子产品。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：700mA（在 25°C）
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT26
DMN6070SSDQ-13 提供了出色的导通电阻和快速的开关性能，使其在低功耗应用中表现出色。其低栅极电荷特性有助于减少开关损耗，提高系统效率。此外，该器件的热稳定性良好，能够在高温环境下可靠运行。SOT26 小型封装形式适合用于空间受限的设计，同时支持表面贴装工艺，提高了制造的灵活性。
该 MOSFET 还具有良好的抗静电能力（ESD）和过热保护性能，确保在恶劣环境下的稳定工作。其高可靠性设计适用于通信设备、消费电子产品和工业控制系统等多种应用场景。
DMN6070SSDQ-13 常用于电源管理电路，如电池供电设备的负载开关、DC-DC 转换器、电压调节模块以及各种低功耗电子设备中的开关控制。它也适用于需要高效率和高可靠性的便携式设备，例如智能手机、平板电脑、穿戴设备和无线通信模块等。
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