类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-400mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-1.2A
　　功耗（PD）：350mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻RDS(on)：最大550mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：最大700mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值-1.0V，范围-0.6V至-1.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值29pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：典型值19pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　反向传输电容（Crss）：典型值4.5pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　开关时间-开启延迟时间（td(on)）：典型值3.5ns
　　开关时间-上升时间（tr）：典型值4.5ns
　　开关时间-关闭延迟时间（td(off)）：典型值10ns
　　开关时间-下降时间（tf）：典型值6.5ns

DMN601WK-7-F具备出色的导通特性和快速开关响应能力，其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS = -4.5V条件下最大仅为550mΩ，在VGS = -2.5V时也控制在700mΩ以内，这使得器件在小电流负载下具有较低的传导损耗，提升了电源效率。该特性特别适合用于电池供电系统中的负载开关或电源路径控制，有助于延长设备续航时间。此外，由于其P沟道结构，该MOSFET在高边开关配置中使用方便，能够实现对正电源轨的有效切断，满足多种电源管理需求。
　　该器件采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺，这种结构优化了载流子迁移路径，提高了单位面积下的电流承载能力，同时降低了寄生参数的影响。配合SOT-363超小型六引脚封装，不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适用于高密度组装环境如智能手机、可穿戴设备和平板电脑等。封装形式为双芯片共源极设计，允许两个独立的P-MOSFET集成在一个封装内，但DMN601WK-7-F为单通道版本，引脚兼容且便于布局布线。
　　另一个显著特点是其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），典型值分别为4.8nC和29pF，这意味着驱动该MOSFET所需的能量非常少，非常适合与低驱动能力的微控制器IO口直接连接，无需外加驱动电路即可实现高效开关操作。同时，较低的电容也有助于减少高频噪声和串扰，提升系统的电磁兼容性（EMC）。
　　热稳定性方面，该器件的工作结温可达+150°C，具备良好的过温耐受能力。内部结构设计考虑了热分布均匀性，避免局部热点导致早期失效。同时，其ESD防护能力较强，人体模型（HBM）耐压达±2000V，机器模型（MM）达±200V，增强了在实际生产和使用过程中的鲁棒性。综上所述，DMN601WK-7-F是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于现代低功耗、小型化电子系统的设计需求。

DMN601WK-7-F广泛应用于各类低电压、低功耗的便携式电子设备中，尤其适合作为电源开关、负载切换器或反向电流阻断器件使用。常见应用场景包括移动电话、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的电池电源管理模块，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或安全关断功能。此外，它也可用于USB接口的电源开关，防止下游设备短路时影响主电源系统，起到过流保护和热插拔控制的作用。
　　在便携式医疗设备如血糖仪、体温计或助听器中，该器件可用于精确控制传感器或无线通信模块的供电，避免不必要的能耗，延长电池使用寿命。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由MCU GPIO引脚控制，因此在嵌入式系统中常被用作LED背光调光开关、音频放大器使能控制或传感器电源门控等场合。
　　工业和消费类电子产品中的低功率DC-DC转换器或LDO后级开关也常采用此类MOSFET进行电源路径选择。例如，在多电源系统中实现主备电源自动切换，或在系统休眠模式下切断外设供电。此外，由于其封装小巧且易于自动化贴装，非常适合大规模生产环境下的SMT工艺要求。总之，凡是需要小型化、低功耗、高可靠性的P沟道开关应用，DMN601WK-7-F都是一个理想的选择。

DMG2304UX-7
　　FDC6312P
　　SI2301-ADJ
　　MAX22511EWA+T