时间：2025/4/28 14:19:47
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DMN601TK是来自Diodes Incorporated的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT23-3封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于空间受限的应用场景。它广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品以及需要高效功率转换的电路中。
DMN601TK因其小尺寸和高性能特点，成为许多低功率应用的理想选择，例如负载开关、DC-DC转换器、电池管理以及信号电平转换等。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.4A
导通电阻(Rds(on))：0.55Ω（在Vgs=4.5V时）
功耗(Pd)：420mW
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
DMN601TK具备以下显著特性：
1. 小型SOT23-3封装，非常适合空间紧凑的设计。
2. 高开关速度，可有效减少开关损耗。
3. 低导通电阻，在高效率应用中降低功率损耗。
4. 工作电压范围宽，能够适应多种电路需求。
5. 较高的漏极电流能力，确保其在较高负载条件下稳定工作。
6. 结温范围广，能够在恶劣环境下可靠运行。
DMN601TK适用于以下应用场景：
1. 消费类电子产品的电源管理。
2. 手机和平板电脑中的负载开关。
3. 电池供电设备中的电池保护电路。
4. DC-DC转换器及降压升压电路。
5. LED驱动电路中的开关元件。
6. 各种信号电平转换电路。
DMN602UCZ, BSS138, FDN340P
