时间：2025/4/30 18:17:41
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DMN601LTQ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小尺寸的 LFPAK33 封装，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。其设计目标是满足现代电子产品对小型化、高效能的需求。DMN601LTQ 的导通电阻较低，并且具有出色的开关性能，广泛用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：2.7nC
总电容：240pF
工作结温范围：-55℃ to 150℃
封装类型：LFPAK33
DMN601LTQ 是一款高性能的功率 MOSFET，主要特性如下：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了在高电流应用中的高效表现。
2. 高速开关能力使其非常适合于高频 DC/DC 转换器和负载开关。
3. 小型化的 LFPAK33 封装有助于减少 PCB 占用面积并提高热性能。
4. 可靠的电气规格支持广泛的输入电压范围和严苛的工作环境。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保合规性。
DMN601LTQ 因其卓越的性能而被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中作为同步整流元件或主开关管。
2. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
3. 电机驱动电路中提供高效的功率传输。
4. LED 照明系统的驱动电路。
5. 工业自动化设备中的信号切换与保护功能。
DMN601LTTQ, DMN602LTQ
