时间：2025/5/23 20:47:09
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DMN601K是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超低导通电阻的功率MOSFET系列。该器件采用DFN3.3封装，适用于需要高效能和小尺寸的应用场景。DMN601K以其出色的电气性能和紧凑的设计广泛应用于便携式设备、消费电子、通信系统等领域。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻（典型值）：4.9mΩ
栅极电荷：1.9nC
开关时间：典型开启时间为8ns，典型关闭时间为7ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
热阻（结到环境）：105°C/W
DMN601K具有超低的导通电阻，能够显著降低传导损耗并提高效率。
该器件支持高频率开关操作，适用于各种电源管理应用。
其DFN3.3小型化封装设计有助于节省电路板空间，并满足现代电子产品对紧凑布局的需求。
由于采用了先进的制造工艺，DMN601K在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。
此外，它还具备较低的栅极电荷，有助于减少驱动损耗。
DMN601K广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动器等应用场景。
它非常适合于要求高效率和高密度集成的便携式设备，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及可穿戴设备。
此外，在电信系统中的电源模块和工业控制设备中也常见其身影。
DMN602K
DMN603K
Si7446DP
