时间：2025/8/2 8:58:47
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DMN601DWK-7 是一款由 Diodes 公司制造的小功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低电压和中等电流的开关电路中。这款器件采用了先进的 TrenchFET 技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适合用于电源管理和负载开关等应用。该器件的封装为 SOT-363，非常适用于空间受限的电路设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：200mA
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω @ Vgs = 10V
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω @ Vgs = 4.5V
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-363
DMN601DWK-7 具备多项优异特性，使其在小功率 MOSFET 领域中表现出色。首先，其采用了先进的 TrenchFET 技术，有效降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。在 Vgs = 10V 时，Rds(on) 仅为 1.2Ω，而在 Vgs = 4.5V 时，Rds(on) 为 1.8Ω，这使得该器件可以在较低的栅极电压下仍保持良好的导通性能。
其次，DMN601DWK-7 的最大漏源电压为 60V，能够承受较高的电压应力，适用于多种低压电源管理应用。最大连续漏极电流为 200mA，适用于轻负载开关和信号控制电路。此外，该器件的栅源电压范围为 ±20V，具有较强的抗过压能力，能够在复杂的电气环境中保持稳定工作。
由于其优异的电气特性和紧凑的封装设计，DMN601DWK-7 广泛应用于多种电子设备中。常见应用包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器、LED 驱动电路、电源管理模块、小型电机控制电路、传感器信号切换以及各类便携式电子产品中的电源控制部分。
DMN601DWT-7, DMN601DWR-7, 2N7002, BSS138
