时间：2025/8/2 8:14:05
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DMN601DMK-7 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）制造的 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和负载开关应用。该器件采用 3-TDFN 封装（也称为 SOT-89-3 或 DFN1006），适用于需要高效率和小型化设计的电路。DMN601DMK-7 的设计旨在提供低导通电阻（RDS(on)）和良好的热性能，使其在低电压和中等电流条件下表现出色。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：-500mA（@VGS = -4.5V）
导通电阻（RDS(on)）：最大 0.28Ω（@VGS = -4.5V）
阈值电压（VGS(th)）：-0.55V 至 -1.3V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：3-TDFN（DFN1006）
DMN601DMK-7 具备多项优良特性，适合用于便携式电子设备和电池供电系统。
首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。其最大 RDS(on) 为 0.28Ω，在 4.5V 栅极驱动电压下表现良好，适合用于负载开关、DC-DC 转换器和电机控制等应用。
其次，DMN601DMK-7 的小型 3-TDFN 封装使其非常适合空间受限的设计，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他小型电子产品。该封装还具备良好的散热性能，可以在有限的空间内保持稳定的工作温度。
此外，该 MOSFET 支持 ±8V 的栅极电压，具备一定的过压保护能力，同时其阈值电压范围（-0.55V 至 -1.3V）确保了在低电压系统中的可靠开启和关闭操作，适用于 1.8V、2.5V 或 3.3V 逻辑电平控制。
最后，DMN601DMK-7 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级温度环境，确保在各种工作条件下都能保持稳定性和可靠性。
DMN601DMK-7 常用于多种低电压电源管理应用中，尤其是在便携式和电池供电设备中表现优异。
典型应用包括负载开关、电源管理系统、DC-DC 转换器、电池充电电路、电机驱动器和逻辑控制电路。由于其 P 沟道结构，该 MOSFET 在高边开关应用中尤为常见，例如在电源切换、电池保护和电源路径管理中。
此外，该器件也适用于嵌入式系统中的电源控制，如微控制器外设的供电管理、LED 背光控制以及传感器模块的电源隔离。由于其支持低电压逻辑控制，因此可以与多种微控制器或电源管理 IC（PMIC）配合使用，实现高效的功率控制。
在工业和消费类电子设备中，DMN601DMK-7 可用于构建小型、高效的电源管理系统，帮助设计者实现更高的能效和更小的 PCB 面积。
AO4403, Si4435BDY, FDN340P, NTR1P02LT1G
